Power MOSFET 驱动技术 廖鸿飞(fly).PDFVIP

Power MOSFET 驱动技术 廖鸿飞(fly) alex.liao@ POWER MOSFET 驱动技术 1 POWER MOSFET 直接驱动 2 POWER MOSFET 自举驱动 3 POWER MOSFET隔离驱动 4 POWER MOSFET 并联驱动 POWER MOSFET 的结构 N-MOSFET 结构示意图 POWER MOSFET 等效模型 动态模型： 开关模型： 描述了dV/dt的影响 描述了MOSFET的重要寄生参数 POWER MOSFET 寄生参数 V C 2 C  DS ,spec RSS ,ave RSS ,spec V DS ,off V C 2 C  DS ,spec OSS ,ave OSS ,spec V DS ,off C C GD RSS ,ave C C C GS ISS RSS C C C DS OSS ,ave RSS ,ave POWER MOSFET 开通过程 to-t1: 驱动通过Rgate 对Cgs充电， Vgs 电压以指数形式上升 POWER MOSFET 开通过程 Id (VGS Vth ) g fs t1-t2: Vgs 达到MOSFET开启门槛电压， MOSFET 进入线性区，Id缓慢上升 POWER MOSFET 开通过程 t2-t3: Id达到稳定值，Vgs固定不变，Vds 电压开 始下降，VDD给Cgd提供放电电流。 （米勒效应） POWER MOSFET 开通过程 t3-t4: Vds下降到0V，MOSFET完全导通，VDD继续给Cgs充 电，直至Vgs=Vdd,MOSFET完成开通过程。 POWER MOSFET 关断过程 MOSFET的关断过程是开通过程的反过程。 POWER MOSFET 驱动电流 Q Q Q Q