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新 聞 稿 敬請惠予刊登 2010年6月21日 Elpida，力成科技與聯華電子攜手合作，針對包括28奈米的先進製程，進行3D IC的整合開發 三方的合作將以TSV製程的開發為重心，建立Logic+DRAM的 3D IC完整解決方案 Elpida公司、力成科技與聯華電子今(2)日Through-Silicon Via, 直通矽晶穿孔）技術為基礎，成功開發80億位元組的DRAM， 聯華電子副總暨先進技術開發處處長簡山傑表示，“聯華電子為服務客戶，一直積極追求尖端的技術解決方案，成果卓著。在2009年10月我們成功產出40奈米製程高效能客戶產品。而在28奈米製程方面，我們的後閘極（gate-last）高介電係數／金屬閘極（HK/MG）研發預計在2010年年底即可準備就緒，進行客戶矽智財驗證。隨著CMOS製程微縮帶來的技術與成本上的挑戰，採用TSV技術的3D IC便成為摩爾定律之外的另一個選擇。然而，需要3D IC TSV解決方案來生產次世代產品的客戶正面臨多項挑戰，包括標準化、供應鍊基礎架構、設計解決方案、熱應力、封裝測試整合以及成本問題等等。身為3D IC整合解決方案的晶圓製造廠，我們非常高興能與Elpida公司以及力成科技合作，針對各種不同應用產品，共同開發一個完整的TSV整合解決方案。運用聯華電子尖端的28奈米邏輯技術與邏輯設計介面、Elpida公司的DRAM／TSV技術以及力成科技的封裝與測試服務，這項合作將能使聯華電子為客戶的3D IC設計提供完整的解決方案。”同時，聯華電子也將支援使用其他TSV方法的客戶，透過與現有封裝夥伴合作，積極發展解決方案，滿足其他客戶的需求。 使用TSV技術整合DRAM與邏輯技術之後，預計其提供的效能，將能滿足行動與可攜式電子產品3C功能不斷整合的趨勢。這項合作將能促進完整解決方案的開發，其中包括Logic+DRAM介面設計、TSV結構、晶圓薄化、測試與晶片堆疊組裝。這項技術預期能增加成本上的競爭力，改善邏輯良率效應，並且加速進入3D IC市場的時間。 ### 新聞聯絡: 力成科技 Powertech Technology Inc. 總經理　廖忠機 電話: +886-3-5980300 E-mail: ccliao@.tw 力成科技 Powertech Technology Inc. 發言人 曾炫章　 電話: +886-3-5980300 E-mail: evant@.tw