第四章双极.pptVIP

第四章　双极器件模拟§1双极器件模拟 Go atlas TITLE Bipolar Gummel plot and IC/VCE with constant IB # Silvaco International 1992, 1993, 1994mesh x.m l=0 spacing=0.15x.m l=0.8 spacing=0.15x.m l=1.0 spacing=0.03x.m l=1.5 spacing=0.12x.m l=2.0 spacing=0.15 当x=0时,space=0.15μ，当x=1 μ时， space= 0.03μ， y.m l=0.0 spacing=0.006y.m l=0.04 spacing=0.006y.m l=0.06 spacing=0.005y.m l=0.15 spacing=0.02y.m l=0.30 spacing=0.02y.m l=1.0 spacing=0.12region num=1 silicon #y.mesh 当y=0时， Sapce=0.006μ #区域1是硅材料 electrode num=1 name=emitter left length=0.8 y.max=0 electrode num=2 name=base right length=0.5 y.max=0 electrode num=3 name=collector bottom  #Emitter on the left ， length= 0.8μ,at Y=0 #Base on the right ， length= 0.5μ, at Y=0 #Collector at bottom #掺杂语句，在区域1内，均匀分布，N型杂质，浓度5e15。#在区域1内，高斯分布，n型杂质, 做集电极接触。#高斯分布，p型杂质, 做基区。#高斯分布，n型杂质, 做发射区，x的右边界为0.8#高斯分布，p型杂质, 做基极接触，x的左边界为1.5。 doping reg=1 uniform n.type conc=5e15 doping reg=1 gauss n.type conc=1e18 peak=1.0 char=0.2 #base doping reg=1 gauss p.type conc=1e18 peak=0.05 junct=0.15 #EMITTER doping reg=1 gauss n.type conc=5e19 peak=0 junct=0.05 x.right=0.8 #base contact doping reg=1 gauss p.type conc=5e19 peak=0 char=0.08 x.left=1.5 §2设置器件结构 # set bipolar models models conmob fldmob consrh auger print contact name=emitter n.poly surf.rec #与浓度有关的迁移率，场，与浓度有关的srh复合，输出所有模型的状态，系数，常数的变化 #规定有限表面的复合速度用于相关的接触 solve init save outf=bjtex04_0.str tonyplot bjtex04_0.str -set bjtex04_0.set method newton autonr trap #牛顿算法，执行自动的Newton richardron Procedure,减小步长。 solve vcollector=0.025 solve vcollector=0.1 solve vcollector=0.25 vstep=0.25 vfinal=2 name=collector solve vbase=0.025 solve vbase=0.1 solve vbase=0.2 log outf=bjtex04_0.log #把集电极加到2V，基极加到0.2V，开始记录 solve vbase=0.3 vstep=0.05 vfinal=1 name=base #基极加到1V，bjtex04_0.log主要记录了Vc=2V时，Vb从0.3V到1V， #ic和ib能得到HFE等 tonyplot bjtex04_0.log -set bjtex04_0_log.set log off #关闭记录 solve init solve vbase=0.025 solve vbase=0.05 solve vbase=0.1 vstep=