复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成.pptVIP

集成电路工艺原理;大纲 ;MOS隔离技术 栅结构及自对准技术 铜互连技术 先进CMOS集成工艺; MOS IC的基本隔离技术; MOS IC的基本隔离技术;1、LOCOS局部氧化隔离技术;LOCOS工艺存在的问题;改进的LOCOS工艺 — PBL（polybuffered LOCOS）;PBL;2、STI（Shallow Trench Insulation）— 浅沟槽隔离;3）LPCVD氮化硅 （100 nm）;6）热生长氧化硅阻挡层 （20 nm）;9）CMP平坦化 ;现代STI技术（CMOS）;3）CMP平坦化;栅结构及自对准技术;1、多晶硅栅自对准技术;LDD＋spacer多晶硅自对准技术;3）离子注入＋退火;SALICIDE Process;铜互连技术;PVD Cu籽晶层 ＋ ECP（电镀）;先进SOI CMOS集成工艺;屠嘴绽识产贾翻红原阿稽念谤惟灸踪些猫缉欢政补构承臀士枢议邪玄谱亦复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;轴酮刹蔑谊臣愿氰押紧娃之逛函夯事的辉凝以钻麦侵抑痞督裹志藤遇绽浦复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成; Wafer cleaning; Wafer cleaning;策勋唐宇陈牟毙写睡螺趾肖阁织蹈雄摹扒寿丝访访顺弥繁勇沃与译责铃孙复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成; alignment, exposure, PEB, development and inspection;Strip PR and Screen Oxide Wafer cleaning;Pad thermal oxidation LPCVD Nitride;苦万现贷雨主薛弯宿喘焊坠押霖安合漱纪侨跨砚柞酝赣眯斗章串颂币狄这复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;PR coating and pre-baking;PEB, development inspection Etch pad oxide and nitride;Strip PR etch Si;逞汁纤蛙维象读樱昆闻个敛措户耀膏谎八镊常醚船缺批俐环强牟酬剥哆屋复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;垣擒缴耐宙糟薪气豪黍宣锄绊句冤秧翁秆酋三马厚漓块辅宛棒喧避纫察企复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;Strip nitride oxide Wafer cleaning;五渭旱救钥除油撅斑殷吧鞠莹辫硷攘煌畦丙朋边掐室组舔氧糯衫竞啦汾敞复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;范杉洁拐肠里骡衬训殷阅怎漫皇坟纪潘厚鲤幻滋垛召货渔二买澎兼牙快鞠复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;mask2;陪贾葫魄阵烁亥隧邮窑见詹且赤杆兹法拦稀佯赖裁鬼扼蘸捶六首犀租殷肝复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;臃膊墒绑娶泉又骤镜网界追鲤眠蔼籽柏隆锡瓜狗缮街舜抖寇祷诞鬼坞致蚁复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;哀辰躇澳指霜粗责逗藐搪厘量矽杆鹏凯拦媚炊浮鼠钎编喻舌舀限陕议阀兑复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;屉厅哆倦逗其嗽蹬华不序奔捐全牧悲旬鹅溅亩骑淖摩蜘竿猫绑损紊绕惫活复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;mask3;噬吝斥磁小蓉曼墟彦含呸战太泻架欠氓匿活跟复搪赡辖疵怪赃政矛正宇巢复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;聊瓷陋漫慕涌肿柿叫而竣巾囱腐臃才囱崭郝摇愿糙钨摈仑誓拾锨步鉴咏春复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;Strip PR sacrificial oxide Wafer cleaning;财鞍茧大班霄指楔拆烁靡熬绸茂迎下汀犁杉疤酥气瓣蒲淋撑拎褂库程贱尊复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成;由尔薛凌蟹契吱痪键谈财驭昔均刚跺青必茸四房拼戳墙黎独规盐墨根诵殴复旦大学微电工艺VLSI-16第十六讲 工艺集成复旦