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磁 控 溅 射 原 理 outline 磁控溅射原理 磁控溅射分类 直流平面靶溅镀Al电极 中频旋转靶溅镀ZAO和ITO 磁控溅射原理 电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，并在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。 磁控溅射的优点 稳定性好 重复性好 均匀性好 高速 低温 影响溅镀效率的因素 磁场分布 溅射速率 沉积速率 工作气压 工作电压 溅射功率 靶基距 反应溅射中的金属靶中毒 金属靶表面不断与反应气体（ O2 等）生成化合物覆盖层从而使溅射速率大幅度下降甚至不溅射，称之为靶中毒。 过多的反应气体（O2等)使金属靶材表面被氧化。 任何不稳定因素（如：电弧）都能破坏系统的平衡，导致靶中毒。 在直流溅射中要非常注意溅射参数的控制。 使用射频磁控溅射可解决靶中毒问题。 使用中频磁控溅射可杜绝靶中毒问题。 射频（RF）磁控溅射 直流（DC）磁控溅射 直流（DC）磁控溅射 中频（MF）磁控溅射 一种典型的平面矩形靶 旋转靶的优点 靶材利用率最高可达 70% 以上 靶材有更长的使用寿命 更快的溅射速率 杜绝靶中毒现象 中频孪生旋转靶磁控溅射 三种磁控溅射对比 Al背电极工艺参数 本底真空2~3×10-3Pa 工作气压～0.3~0.6 Pa 基片温度 ～200C 工作电压 工作功率密度 厚度～500~1000nm 本底真空4×10-4Pa 工作气压～2.0Pa 基片温度 ～200C 反应气体分压0.15-0.5Pa 工作电压 工作能量密度～9.3W/cm2 厚度 前电极800～1000nm 背电极60～100nm ITO工艺参数 基片温度～330C 工作电压～115V 工作气压0.3～0.5Pa 气体中氧含量：15～20％ 沉积速率15～30nm/min * 让不可能成为可能 Making the IMPOSSIBLE possible 815－TCO 磁控溅射原理 直流辉光放电 右图为直流辉光放电的发光区电位分布 及净空间电荷沿极间距的分布图。 靠近阴极有一明亮的发光区，称为阴极 辉光区。 电子在阴极暗区发生大量的电离碰撞， 正离子被加速射向阴极。但是正离子的 迁移率远低于电子的迁移率，净空间电 荷呈正值，在阴极表面附近形成一个正 离子壳层。 阴极暗区是气体辉光放电的最基本组 成 部分。 在负辉光区，电子碰撞气体原子产生强烈的发光。 法拉第暗区和正柱区几乎是等电位区，不一定是辉光放电所必需。 磁控溅射原理 低频交流辉光放电 在频率低于50KHz的交流电压下，离子有足够的活动能力且有充分的时间，在每个半周期在各个电极上建立直流辉光放电。其机理基本上与直流辉光放电相同。 射频辉光放电 在一定气压下，在阴阳极之间施加交流电压，当其频率增高到射频频率时即可产生稳定的射频辉光放电。 射频辉光放电在辉光放电空间中电子震荡足以产生电离碰撞的能量，所以减小了放电对二次电子的依赖，并且能有效降低击穿电压。 射频电压可以穿过任何种类的阻抗，所以电极就不再要求是导电体，可以溅射任何材料，因此射频辉光放电广泛用于介质的溅射。 频率在5～30MHz都称为射频频率。 磁控溅射原理 溅射原理 溅射过程即为入射离子通过一系列碰撞进行能量和动量交换的过程。 电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar离子和电子，电子飞向基片，在此过程中不断和Ar原子碰撞，产生更多的Ar离子和电子。Ar离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。 靶材 基片 V (0) E + Ar Ar+ - e - e - e + Ar+ 电子在电场力作用下迅速飞向基片表面： 一般溅射镀膜的不足 电子与Ar原子碰撞几率低，Ar离子密度偏低，溅射效率低，成膜速度慢。 电子运动路径短，轰击在基片上速度快，导致基片温度升高。 磁控溅射原理 电子运动路径变长，与Ar原子碰撞几率增加， 提高溅射效率。 电子只有在其能量将耗尽时才会落到基片上， 基片温度上升慢。 应用广泛 金属 非金属 金属化合物 非金属化合物 磁控溅射分类 射频（RF）磁控溅射 直流（DC）磁控溅射 中