边_边匹配晶体学模型及其应用_HCP_FCC体系晶体学位向关系的预测.pdfVIP

　第 4 1 卷 第 4 期 上 海 交 通 大 学 学 报 Vol . 4 1 No . 4 　 　2007 年 4 月 J OU RN AL O F SHAN GHA I J IAO TON G UN IV ER SIT Y Ap r . 2007 　 　　文章编号 (2007) 边边匹配晶体学模型及其应用 ———H CP/ FCC 体系晶体学位向关系的预测 曹 　晔 , 　钟 　宁 , 　王晓东 , 　黄宝旭 , 　戎咏华 (上海交通大学 材料科学与工程学院 ,上海 200030) 摘 　要 : 应用 “边边匹配”晶体学模型 ,推导 H CP/ FCC 体系中可能存在的各种晶体学位向关系. ( ) 以 aH / aF 和 cH / aH 为变量 ,在一定的比值范围 aH / aF = 0 . 7～1. 2 ; cH / aH = 1. 5 ,1. 6 ,1. 7 和临界 ( ) 条件 晶向错配度低于 10 % ,晶面错配度低于 6 % 下 ,得到 H CP/ FCC 体系中 8 组可能出现的晶体 学位向关系. 最后 , 以 FeMnSi 合金为例 , 在具体 的点阵常数下计算得到最可能的位 向关系 [ 11 20 ] H / [ 110 ]F (0002) H / ( 1 1 1) F ,并通过透射电子显微分析测定了 Fe30Mn6 Si 合金中面心立 ( ) ( ) 方结构 FCC 奥氏体和密排六方结构 H CP 马氏体的位向关系. 实验测得的取向关系和用“边边 匹配”晶体学模型预测的晶体学取向关系吻合得很好 , 由此检验了该模型的正确性和实用性 ,也体 现了其直观性的优点. 关键词 : 边边匹配 ; 位向关系 ; 惯习面 ; Fe30Mn6 Si 合金 中图分类号 : T G 111. 2 　　　文献标识码 : A An EdgetoEdge Matching Mo del and It s Application to the HCP/ FCC Sy st em CA O Ye , 　Z H ON G N i ng , 　WA N G X i aod ong , 　H UA N G B aox u , 　R ON G Yongh u a ( School of Mat erial s Science an d Eng . , Shanghai J iaotong U niv . , Shan ghai 200030 , China) Ab stract : The edgetoedge mat ching cry st allo grap hic mo del wa s u sed to p redict all t he po ssible cry st allo grap hic relation ship s bet ween cry st al s t hat have hexago nal clo se p acked ( H CP ) and f acecent er cu