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复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究.pdf
2006 2 27 1 韩志慧 等: 复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究 韩志慧, 沈国鹏, 刘国际 ( , 450002) : 借助于交流阻抗技术和电化学方法, 研究了不同复合结构半导体电极在理论 的最 大光电势, 为更好地提高光电转换效率提供依据尝试在高氯酸锂-乙腈非水体系中添加氧化-还 原电对, 探索抑制光腐蚀的有效途径 : ; ; ; : T Q150 : A : 1001- 5868( 2006) 01- 0055- 04 Largest Photovoltage and Photoetch of Tandem Semiconductive Electrode HAN Zh-i hui, SHEN Guo-peng, IU Guo-ji (College of Chemical Engineering, Zhen hou University, Zhen hou 450002, CHN) Abstract: The flat-potential of different tandem semiconductive anode can be acquired by means of alternating impedance technique and electrochemical method. So the largest theoretical photovoltage was achieved to offer primary data for optimizing the preparative parameter. The photocorrosion can be inhibited effectively when dissolving different oxidation-reduction electrocouple in lithium perchlorate-acetonitrile non-aqueous solution. T he results indicate that the tandem semiconductive material with narrower band-gap covered with that of wider band-gap can avoid or inhibit the photoetch. Key words: tandem semiconductor; photoetch; alternating impedance; flat-potential 1 , , [ 3] , , , / 0[ 1] , , ( GaA s/ ) , , Ga1- x Alx As n- GaAs , n- GaAs , [ 2] , [ 3] Heller , 2- 2- [
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