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烧结温度对SiO_2-TiO_2薄膜亲水性的影响
第41卷第9期 应 用 化 工 Vo1．41No．9 2012年 9月 AppliedChemicalIndustry Sep．2012 烧结温度对 SiO2一TiO2薄膜亲水性的影响 许晓丽，吕德涛 (中国电子科技集 团第三十三研究所，山西 太原 030006) 摘 要：为了确定 SiO~-TiO 薄膜制备过程的最佳烧结温度 ，将不同SiO2与TiO 掺杂比的样品分别在400oC和 500℃下煅烧，进行与水的静态接触角测试。结果表明，在一定掺杂比范围内，SiO：的掺杂能明显提高TiO 表面亲 水性，并且 500oC煅烧的产品亲水性要好于400℃煅烧的产品。SEM和XRD表明，500℃煅烧的产品表面颗粒粒 径要大于400oC煅烧的产品的表面颗粒粒径，并且 已有了比较明显的锐钛矿晶型特征峰，而400oC煅烧的产品还 是无定形态，这说明SiO 的掺杂抑制了TiO 晶粒的生长和晶型的转变。而锐钛矿晶型的TiO 亲水性要远好于无 定形的TiO2，致使500oC煅烧的产品的亲水性要好于400℃煅烧的产品的亲水性，因此500qC才是 SiO：．TiO薄膜 的最佳烧结温度。 关键词：SiO一TiO 薄膜；亲水性 ；烧结温度 中图分类号：TQ013．1 文献标识码 ：A 文章编号：1671—3206(2012)09—1537—03 InfluenceofheattemperatureonSiO2-TiO2film hydrophilicity XUXiao—li，Lt2De—tao (N0．33ResearchInstituteofChinaElectronicsTechnologyGroupCorporation，Taiyuan030006，China) Abstract：Inordertodeterminetheoptimum heattemperatureofSiO2一TiO2film preparationcoursew e ， calcineddifferentSiO2dopingTiO2samplesunder400 oC or500℃ usingmufflefurnace，andthenhte behaviourofthesefilmswerecheckedbycontactangletesting．Theresultsshowedthatwihtineertaindo． pingrange，thehydrophilicbehaviorofsamplesdopedSiO2haveobviousimprovement，andwihtinthat rangethehydrophilicbehaviorofsamplescalcinedunder500qC isbetterthanhtatofsamplescalcined under400cI=．SEM andXRD indicatedthat：theparticlediameterofsamplescalcinedunder500oC is bigger，andsampleshaveanatasepropertises，whilesamplescalcinedunder400c=【haveamorphism fea． ture．SiO2dopinghasinhibitedgrowht ofTiO2crystalparticleand~ansform ofTiO2crystalfomr ．Thehy— drophiliebehaviorofanatasecrystalofrm ismuchbetterhtanthatofamorphism ，SO500oC ishteoptimum temperatureofSiO2-TiO2film prep
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