低维Bi_2Te_3热电材料的制备与性能研究_赵晴.pdfVIP

第29 卷 第6 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.29 No.6 2010 年6 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jun. 2010 研 究 与 试 制 低维Bi Te 热电材料的制备与性能研究 2 3 赵 晴，王寅岗 （南京航空航天大学 材料科学与技术学院，江苏 南京 210016） 摘要: 用溶剂热法制备了直径在 100 nm 以内的一维针状及厚20~30 nm、长几微米的二维花朵状Bi2Te3 热电材料， 分析了不同形貌产物的生长机理，并对其热电性能进行了比较。结果表明，添加剂的分子结构对产物形貌起决定性作 用。不同形貌产物的热电性能随温度变化的机制不同，一维纳米结构 Bi Te 产物的功率因子随温度升高而增加，最大 2 3 值为 143.1 μΩ·m–1K–2 。而二维纳米结构的Bi Te 产物虽然在室温附近有较大的 Seebeck 系数，约 100 μV/K ，但由 2 3 于其电导率较低，功率因子在较宽的温度范围内保持在 23 μΩ·m–1K–2 左右。 关键词: 低维热电材料；Bi Te ；溶剂热法；表面活性剂 2 3 doi: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.06.015 中图分类号: TN304 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2010 ）06-0048-04 Study on synthesis and performance of low-dimensional structured Bi Te thermoelectric materials 2 3 ZHAO Qing, WANG Yingang (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China) Abstract: Needle-shaped Bi Te with diameters less than 100 nm and flower-like Bi Te with a thickness of 20~30 nm 2 3 2 3 and length of a few microns were obtained through a solvothermal route. The mechanisms of crystal growth were discussed, and the thermoelectric properties were compared. The results show that the molecular structure of the additive plays a key