8.p-n结学生).pdf

半导体物理 姜胜林 4 半导体中的电子状态 5 半导体中载流子的统计分布 6 载流子输运 7 非平衡载流子 8 p －n结 9 半导体表面与MIS结构 10 金属和半导体的接触 11 异质结 12 半导体的热电性质 8 p-n结 本章内容提要  p-n结及其能带图  p-n结伏安特性  p-n结电容  p-n结击穿  p-n结隧道效应 同一种半导体材料n 、p型样品接触 p-n 结 电流电压特性 电容效应 击穿特性 晶体管、集成电路的心脏 p-n结定义：p型半导体和n型半导体结合的交界面。 突变结：p、n区杂质均匀分布，两侧杂质类型及 浓度突然变化（合金法或离子注入法 ） 基本结构示意图 缓变结：从一区域到另一个区域杂质浓度是逐渐变化的（扩散法 ） 突变结杂质分布(合金结、 缓变结杂质分布（低表面浓 高表面浓度的浅扩散结) 度的深扩散结） 突变p-n结 线性缓变p-n结 杂质分布 电 场 电位分布 能带图 8.1 p-n结空间电荷区及能带图 1.空间电荷区 浓度差 多子的扩散运动 形成空间电荷区 形成内建电场 促使少子漂移 阻止多子扩散 多子扩散和少子漂移 达到动态平衡 多子的扩散运动 少子的漂移运动 形成扩散电流 形成漂移电流 并增加空间电荷区的宽度 并减小空间电荷区的宽度 平衡时 空间电荷区的宽度也达到稳定，电流为零 平衡p-n结 - - - + + + -