双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质!.PDFVIP

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双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质!

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 . //A , , , ‘R4 %. _R % ;)(*:’*@ //A ( ) !///2AN/Z//AZ. / Z/XNM2/. ]KT] C$^=7K] =7_7K] !//A KS,5 % CS@8 % =R[ % 双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质! )) )) )) 茶丽梅! 张鹏翔! # $ % % $’()*+),)* ! !)(昆明理工大学光电子材料研究所,昆明 -.//.!) )( , , , ) 0’1234’5627589,9:9) ;; =9:99’*9 ?)*+’5@ ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) // . !A // B !. 用脉冲激光沉积( )方法成功地制备了双层钙钛矿结构的 ( )单相薄膜 这种薄膜 CDE D’ =* 05 H ! I / JA % F ! ! G ! B 生长在具有不同晶格参数的两种衬底上 测量发现,两种衬底上生长的 ( )薄膜具有迥然 % D’ =* 05 H ! I / JA F ! ! G ! B 不同的金属 绝缘体转变温度 及其他物性 界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果 2 0 F 7 % % 在衬底的压应力下,薄膜的电阻温度曲线的峰值( )向高温移动且电阻率()下降;相反,对于衬底张应力下的 2 0 F 7 ! 薄膜, 下降 上升 这些结果可以用双交换模型做很好的解释 0 F 7 ! % % 关键词: ,双层锰氧化物薄膜, ,应力 K0L CDE : , , !## B.B/C M!!.7 -M..

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