《电子技术基础》复习题〔模拟〕.docVIP

一、填空题： 1—1—1 半导体是一种导电能力介于 导体 与 绝缘体 之间的物质。常用的半导体单晶材料是 硅 和 锗 ，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的 氧化物 。 1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如 热敏 特性和 光敏 特性可制成热敏电阻和光敏元件。 1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度 等于 空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度 小于 空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度 大于 空穴浓度。 1—1—4 半导体中的电流是 电子电流 与 空穴电流 的代数和。杂质半导体中的多数载流子是由 掺杂 产生的；少数载流子是由 本证激发 产生的。 1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接 高 电位，N区接 低 电位。正偏时PN结处于 导通 状态，反偏时PN结处于 截止 状态。 1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于 击穿 状态，该状态是 稳压 二极管的工作状态，是 普通 二极管的故障状态。 1—1—9 整流二极管的最主要特性是 单项导电性 ，它的两个主要参数是： 最大平均整流电流 和 最高反向工作电压 。 1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V。 1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V, 反向截止时，其中电流为 0 A。这两种状态相当于一个 开关 。 1—1—12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。 1—1—13 发光二极管内部 PN结 ，当外加适当的正向电压时，N区的自由电子 和P区的空穴在扩散过程中 复合 ，释放的能量以 光 的形式表现出来。 1—1—14 发光二极管按其发光效率的高低可分为 超高亮度 型 高亮度 型和 普通型。 1—1—15 用万用表及R×100Ω或R×1K档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管 阳(正) 极，红表笔接的是二极管 阴（负） 极。 1—1—16 三极管具有电流放大作用的工艺措施是： 发射 区中掺杂浓度高， 集电 结的面积大， 基 区很薄。 1—1—17 三极管具有电流放大作用的外部条件是 发射结正偏 和 集电结反偏 。 1—1—18 三极管的电流放大作用是用较小的 基极 电流控制较大的 集电极 电流，所以三极管是一种 电流 控制元件。 1—1—19 双极型晶体管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电。 1—1—21 某三极管的极限参数。若它工作 时电压，则工作电流不得超过 15 mA；若工作电压，则工作电流不得超过 100 mA；若工作电流＝lmA，则工作电压不得超过 30 V。 1—1—22 三极管穿透电流是集一基反向饱和电流的 1+β 倍。在选用管子时，一般希望尽量 小 。 l—1—23 场效应管从结构上看可以分成 结型 和 绝缘栅型 两大类型，它们的导电过程仅仅取决于 多数 载流子的流动。从这一点看它又称为 单极型 晶体管。 1—1－26 场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻 大很多 ，所以输入电流近似为 零 。 2—1—1 放大电路的静态工作点设置不当，会引起 截止或饱和失真 。 2—1—2 与放大电路静态工作点相对应的电量是 IB 、 IC 和 UCE ．三个量。 2—1—3 放大器的静态是指 UI=0 时的工作状态，动态是指 UI≠0 的工作状态。 2—1—4 画放大器直流通路时， 电容 视为开路，画交流通路时，耦合电容、旁路电容和直流电源视为 短路 。 2—1—6 放大电路中，静态工作点设置太低易产生 截止 失真；设置太高易产生 饱和 失真。当输入信号很微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置的 低