金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究.pdfVIP

设计 ·研 究 《电加工与模具)2015年第2期 金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究 杜立群 ，位广彬 ，杨 彤 ，陈胜利 (1．大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁大连 116024； 2．大连理工大学辽宁省微纳米系统重点实验室，辽宁大连 116024) 摘要 ：采用负胶光刻工艺制备 了微坑 阵列胶模 ，通过实验分析 了抛光工艺对刻蚀均匀性的影 响，解决了微坑阵列刻蚀缺陷的问题。研究了酸洗对基板刻蚀的影响，得 出酸洗可改善刻蚀均匀性 的结论 ，并通过调节溶液 pH值 的方法解决了溶液沉淀的问题 。分析 了掩膜孔径对刻蚀均匀性的影 响，并利用 自行搭建的电化学刻蚀装置完成了直径 60Ixm、深 l1 m的微坑 阵列刻蚀 。实验结果验 证 了掩膜电化学刻蚀工艺的可行性，为金属表面微小图形的制作提供 了一种可行的方案。 关键词 ：UV—LIGA；微坑阵列 ；电化学刻蚀 ；酸洗 中图分类号 ：TG662 文献标识码 ：A 文章编号 ：1009—279X(2015)02—0029—04 StudyonElectrochemicalEtchingbyM askforM icroPitArrayontheM etalSurface DuLiqunL2,WeiGuangbin2,YangTong2,ChenShengli (1．KeyLaboratoryforPrecisionandNon-traditionalMachiningTechnologyofthe Ministry ofEducation，DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China； 2．KeyLaboratoryforMicro／NanoTechnologyandSystem ofLiaoningProvince， DalianUniversityofTechnoloyg ，Dalian116024，China) Abstract：Themask film ofrthemicropitarraywasmanufacturedbyusingnegativephotoresist lithographyprocess，then experimentswere made to analyze the effectofthepolishing processon uniformityoftheetching，SOastoultimatelysolvetheproblem oftheetchingdefect．Theinfluenceof the pickling on the substrate was studied，itwas found thatpickling can improve the etching uniformity，thenprecipitationproblemwassolvedbyadjustingthepHofthesolution．Theinfluenceof themaskapertureontheelectrochemicaletchingwasanalyzed．Themicropitarraywiththediameter 0f 60 m and depth of 11 txm wasfabricated by the self—established electrochemicaletching equipment．Theresultsverifythefeasibilityofthemaskelectrochemicaletching，whichmeansthatthe proposedprocesscanprovideareferenced schemefortheproduction ofmicropatternon themetal surface． Keywords：