反激式开关电源传导干扰的研究.docVIP

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反激式开关电源传导干扰的研究.doc反激式开关电源传导干扰的研究.doc

——————————————————————————————————————————————— 反激式开关电源传导干扰的研究 陈 妹,刘景夏,胡冰新,林 莹 (中国人民解放军理工大学通信工程学院,江苏南京210007) 摘要:建立了反激式开关电源高频等效模型。分析了传导干扰的产生机理,具体说明了开关频率谐波、Q,和D,两次振荡频率和幅值与各参数间的关系。根据各参数间关系。提出了增加驱动电阻,减小变压器漏感£e和增加CI击、G的方法。以改善由Q,和D,带来的干扰影响。并对改善前后传导干扰产生的噪声信号进行了频谱分析对比。取得了较为理想的实验结果,在不影响原电气性能的前提下提高了电源的EMC性能。关键词:反激式开关电源;传导干扰;频谱分析;电力电子中图分类号:1M 23 文献标识码:A 文章编号:1002—087X(2014)04—0764-02 Analysis on conductedinterferenceofflybackswitchingpowersupply CHENShu,LIUJing-xia,HUBing-xin,LINYing (InstituteofCommunicationEngineering,PIAL树垤商钞ofScience and Technology,NanjingJiangsu21000LChina) Abstract:Themodelingof high舶quency equivalentcircuitofflybackconverterwasfocusedonanditsconductive electromagnelJcinterference(EMI)generationmechanismwasanaJyzed.111eimpactoftheharmoniccomponentsofswitchingfrequencyandtheoscillaUngvoltage across MoSFETanddiode on EMl wasdiscussed.Effective approacheswereproposedwhichcouldimproveEMIandtheresultswerecomparedandanalyzed.111eexperimentalresultsvedfytheeffectivenessoftheanalysis. Keywords"flybackswitchingpowersupply;conducted interference;spec劬m analysis;powerelectronics 开关电源在工作时,功率半导体器件快速通断,形成迅速变化的电压、电流,该瞬变的电压和电流会通过电源线路、杂 Z 散电场耦合、杂散磁场耦合等多种效应传递到电网,形成传导 干扰【”。目前人们已经认识到控制电磁干扰的重要性,在发达国家已经成立了国家级以及国际间的组织,对电磁干扰问题进行专门研究,并实行电磁兼容性许可证制度【2】。本文主要探 10VkC 弘剖∥袢 日靠:b专mr,’ f 讨了反激式开关电源传导干扰的产生机理,并结合理论提出 了相对应的改善方法,对改善前后传导干扰产生的噪声信号进行了频谱分析对比,达到了较理想的实验结果,在不影响原电气性能的前提下提高了电源的EMC性能。 图1 上 反激式开关电源高频等效模型 对于反激式开关电源,实测和理论研究表明主要的传导干扰源是高频功率器件Q。和二极管D。【”。 1.2 1-2.1 1传导干扰的产生机理及频谱分析 1.1反激式开关电源高频等效模型 反激式开关电源的主电路及其高频等效模型如图1所示,主要由工频整流稳压环节、变压器TX.、MOSFET功率开关管Q。、高频整流二极管D。和输出电容G构成。 图l中C出表示MOSFET的寄生等效电容;G表示二极管的节电容;G表示MOSFET漏极对散热片的杂散电容;Cd MOSFET Q,产生的传导干扰 Q,开关频率谐波干扰源 首先MOSFET在开通和关断时,具有很宽的频谱含量,开 关频率的谐波本身就是较强的干扰源,分析结果如图2所示。 表示输出二极管阴极对散热片的杂散电容;k表示变压器原 边对其他绕组的漏感;k表示变压器副边对其他绕组的漏感;G表示变压器原边与副

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