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2 半导体导电理论;例. 半导体 Cd S;这相当于产生了一个带正电的粒子 (称为“空穴”) , 把电子抵消了。;空带; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。;自由电子 带负电荷 电子流;本征Si 原子键合与导电机制：;价带空穴:;二. 杂质半导体;１. n型半导体; 由于此时导带中的电子，主要是由杂质中的多余电子形成的局部能级受激跃迁所得，所以该局部属能级称为施主能级．; n 型半导体 ;●两点说明：;２.ｐ型半导体; 量子力学计算表明，这种掺杂后多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，?Ea～10-2eV，称之为局部能级。其能带宽度比起满带到导带的禁带宽度?E要小得多，因此满价带中的电子很容易受激而跃入到局部能级。;空 带;●两点说明：;杂质半导体??示意图;3. n型化合物半导体;三. 杂质补偿作用;§4 Ｐ-Ｎ结;内建场大到一定 程度,不再有净电 荷的流动，达到 了新的平衡。;P-N结处存在电势差Uo。;考虑到P-Ｎ结的存在，半导体中电子 的能量应考虑进这内建场带来的电子 附加势能。;空带;二 . Ｐ-Ｎ结的单向导电性;外加正向电压越大， 正向电流也越大， 而且是呈非线性的 伏安特性(图为锗管)。;２. 反向偏压;但是，由于少数 载流子的存在， 会形成很弱的反 向电流，;利用P-N结 可以作成具有整流、开关等　 　　　作用的晶体二极管（diode）。;§５ 半导体的其他特性和应用;1947年12月23日，美国贝尔实验室 的半导体小组做出了世界上第一只 具有放大作用的点接触型晶体三极管。;p;集成电路 ; ?半导体激光器; 典型尺寸：;当正向电压大到一定程度时，在某些特 定的能级之间造成粒子数反转的状态， 形成电子与空穴复合发光。;半导体激光器的特点：