存储器的结构、映像及CMD文件的编写教程.pptVIP

第7章 存储器的结构、映像及CMD文件的编写;;F2812内部资源框图;地址总线;数据总线;7.1 存储器相关的总线知识;7.2.1 F2812片内存储器资源;7.2.1 F2812存储器的结构;7.2.2 映像与统一编址的理解;7.2.2 映像与统一编址的理解;7.2.2 F2812的存储器映像;TMS320F2812存储器映像;7.2.2 F2812的存储器映像;7.2.3-1 片内SARAM;7.2.3-2 片内OTP;7.2.3-3 Boot ROM;7.2.3-4 片内Flash;7.2.3-4 片内Flash;7.2.3-5 代码安全模块CSM;FLASH烧写界面;7.2.3-6 外设帧PF;存储映像注意事项;7.3 CMD文件;COFF概念;段概念;编译器处理段的过程;;xx.c;7.3.2 C语言生成的段;7.3.2-1 已初始化的段;7.3.2-2 未初始化的段;预处理命令#pragma语法;例7-1 ;段的存储特性;7.3.3 CMD文件的编写;1.通过MEMORY伪指令来指示存储空间;2.通过SECTIONS伪指令来分配到存储空间;3.实际工程中CMD文件;ADC寄存器为例，起始地址在0x007100，长度为32，因此，段AdcRegsFile必须分配到这个空间，而实际的SRAM.CMD程序清单如下：;MEMORY伪指令需注意： （1）同一页内空间的名称不能相同，不同页内名称可以相同； （2）如果将一个较大的存储器划分为若干个存储空间，则地址范围不能有重叠 （3）存储空间的地址需要根据F2812存储器映像来决定，定义的空间地址范围一定要满足F2812的存储器映像，否则也会出错。 SECTION伪指令需注意： （1）;程序烧写到Flash中运行时，速度要大约降低70%-80%，这时就希望对时间比较敏感或者计算量比较大的子程序能够在RAM中运行，比如A/D采样子程序。这就要求在上电后将Flash中的这段程序复制到RAM中运行，加快速度。 实现方法：在FLASH.CMD文件中划分一段来设置RAM的载入和运行地址。 还需要在源文件中调用将Flash内容复制到RAM中的 函数memcpy( )。这个函数式rts2800_ml.lib库里自带的，直接调用;Memcpy( )放在main函数内，系统初始化函数InitSysCtrl( )后面就可以;7.4 外部接口XINTF;XINTF接口结构框图;对于两个区域公用片选信号的情况，使用时可以将两个区域设计成一个存储空间或采用外部逻辑来产生两个寻址空间。 例如，将Zone0 和Zone1两个区域分开 Zone0： 0x2000~0x3FFF Zone1： 0x4000~0x5FFF 低12为地址XA0~XA11变化范围都是000~FFF，无法用作区分。 XA13和XA14均可以作为区分Zone0 和Zone1的逻辑信号. ;这五个区域里，Zone7是最为特别的，其他四个区无论在什么情况下都是外部接口的存储空间。而Zone7受到引脚XMP/MC的影响。 DSP复位时，该引脚的值被采样，然后锁入XINTF的配置寄存器XINTFCNF2中，该引脚的电平决定了是Boot ROM 还是XINTF7区被使能。分下列情况： 如果复位时XMP/MC=1，则系统处于微处理器模式， Zone7 被使能，此时从外部存储器去引导复位向量，此时必须将复位向量指向一个有效地可执行代码的存储器位置。 如果复位时XMP/MC=0，则系统处于微计算机模式， Boot ROM被使能，DSP从内部Boot ROM来引导复位向量， Zone7 不能被访问。 ;7.4.2 XINTF的时钟;7.5 例访问外部存储器