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GB/T 1550—XXXX  PAGE \* MERGEFORMAT 8 ICS? FORMTEXT
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H21 中华人民共和国国家标准 GB/T 1550— FORMTEXT
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代替?GB/T 1550—1997  FORMTEXT
非本征半导体材料导电类型测试方法  FORMTEXT
Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting materials （送审稿） FORMTEXT
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XX发布  FORMTEXT
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XX实施 GB/T 1550—XXXX  PAGE \* MERGEFORMAT 9 前??言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 1550-1997《非本征半导体材料导电类型测试方法》。 本标准与GB/T 1550-1997相比，主要有如下变动： ——适用范围修改为“本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试。其他非本征半导体材料可参照本标准测试”； ——将1.2条修改为：“4.1 总则”。 ——增加术语和定义； ——增加方法E 表面光电压法测试导电类型； ——增加“9.6 如果采用以上方法能够获得稳定的读数和良好的灵敏度，则表明试样表面无沾污或氧化层。如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表面已被沾污或有氧化层，应采用8.2.1～8.2.2中的方法对试样表面进行处理”。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：乐山市产品质量监督检验所、…… 本标准主要起草人：梁洪、王莹、赵晓斌、…… 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB 1550-1979、GB 5256-1985、GB/T 1550-1997。 非本征半导体材料导电类型测试方法 范围 本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。 本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试。其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的试样，可在其表面上测出不同导电类型区域。本标准不适用于分层结构试样如外延片导电类型的测定。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 方法提要 总则 本标准包括五种测试方法：方法A——热探针，热电势导电类型测试方法；方法B——冷探针，热电势导电类型测试方法；方法C——点接触，整流导电类型测试方法；方法D——全类型系统测试方法，包括方法D1——全类型整流导电类型测试方法，方法D2——全类型热电势导电类型测试方法；方法E——表面光电压导电类型测试方法。 方法A，适用于电阻率20Ω?cm以下的N型和P型锗材料及电阻率1000Ω?cm以下的N型和P型硅材料。 方法B，适用于电阻率20Ω?cm以下的N型和P型锗材料及电阻率1000Ω?cm以下的N型和P型硅材料。 方法C，适用于电阻率1Ω?cm～1000Ω?cm的N型和P型硅材料。此方法不适用于锗材料。 方法D1，适用于电阻率1Ω?cm～36Ω?cm的N型和P型锗材料及电阻率0.1Ω?cm～3000Ω?cm的N型和P型硅材料。 方法D2，适用于电阻率0.002Ω?cm～1Ω?cm的N型和P型硅材料。 方法E，适用于电阻率0.15Ω?cm～3000Ω?cm的N型和P型硅材料。 方法A～方法E也可用于测定超过上述范围的非本征半导体材料，但其适用性未经实验验证。 如果用这些方法都不能得到满意的结果，建议采用GB/T 4326中阐述的“霍耳效应测试方法”来测定试样的导电类型。 方法A和方法B 在这两种方法中，用具有不同温度的两支金属探针接触试样，在两支探针间产生热电势信号，据此可检测出试样的导电类型。当试样为N型时，相对于较冷的探针，较热的探针呈现为正极；若试样为P型，则较热的探针呈现为负极。用一个中心刻