电法勘探-3.pptVIP

;一、两种岩石直立接触面上的联合剖面 ρS 曲线 1、两种岩石直立接触面上的点电源电场 2、两种岩石直立接触面上的联合剖面曲线 3、低阻球体上的联合剖面曲线 二、联合剖面的干扰分析及校正 1、比值参数的概念及应用 2、地形对联合剖面的影响及校正;1：当求解有源介质中的电场时如M1点，除了点电源A（I）在考察点要形成影响外，电性界面上的非均匀分布的积累电荷也将产生影响，可用一个虚电源A1（I1）表示，并把它放在与A相对于分界面为镜像对称的位置。做了上述处理之后，地下空间便相当充满了电阻率为P1的均匀介质2:，当考察点位于无源介质时，如M2点，则P1岩石对电场的作用也可以用一个 “虚电源” A2（I2）来代替并且虚电源的位置将与实源A重合。此时地下半空间又相当于充满了电阻率为P2的单一介质。 当实、虚电源与考察点的距离按图所示设定时，考察点M1、M2处的电位表达便可写成;K12为反射系数、1-K12为透射系数 虚电源I1=K12I，I2=（1-K12）I 当ρ2从0变∞ 时，K12值则由-1变到+1：对ρ2 =0的情况而言，K12=-1，1- K12=2。此时，I1=K12I= -I ，I2=（1-K12）I=2I，即分界面不向ρ1岩石反射电流，A电源的电流I全部透射到ρ2岩石中去。 对ρ2 = ∞的情况而言，K12=1，1- K12=0。此时，I1=I，I2=0，即A电源的电流I将全部被分界面反射回到ρ1岩石中，而无电流透射到ρ2岩石中去。 ;2、垂直接触面上联剖与对称四极剖面的视电阻率异常;1、垂直接触面上联剖与对称四极剖面的视电阻率异常;1、垂直接触面上联剖与对称四极剖面的视电阻率异常;1、垂直接触面上联剖与对称四极剖面的视电阻率异常;1、垂直接触面上联剖与对称四极剖面的视电阻率异常;1、垂直接触面上联剖与对称四极剖面的视电阻率异常;1、垂直接触面上联剖与对称四极剖面的视电阻率异常;2、低阻球体上的联合剖面ρS曲线;2、低阻球体上的联合剖面ρS曲线;2、倾斜低阻板上的联合剖面ρS曲线;二、联合剖面的干扰分析及校正