半导体二极管及其应用1.pptVIP

;;§ 1.1.1 本征半导体; 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;§ 1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;§1.1.3 PN结;P型半导体;漂移运动;－;1、空间电荷区中没有载流子。;二、 PN结的单向导电性;－;2、PN 结反向偏置; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; 3 PN结方程; 三、 PN结的反向击穿;四、 PN结的电容效应;1 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;扩散电容示意图; §2 半导体二极管;半导体二极管的型号;半导体二极管图片;34; §2.1 伏安特性; §2.2 二极管的等效电路; 4. 小信号模型;叠加 ！！;§2.3 主要参数 ;3. 反向电流 IR;4. 微变电阻 rD;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;§2.4 稳压二极管;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;稳压二极管的应用举例;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。;光电二极管;发光二极管