模拟电子技术课件第二章节.pptVIP

第二章 基本放大电路;2.1 放大电路的基本概念及性能指标 ;二.放大电路的主要技术指标;2. 输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻;3. 输出电阻Ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻;4. 通频带;2.2 基本共射放大电路的工作原理;放大元件iC=?iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。;各元件作用：;耦合电容： 电解电容，有极性， 大小为10?F~50?F;基本放大电路的习惯画法;1.静态工作点——Ui=0时电路的工作状态;由于(IB,UBE) 和( IC,UCE )分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，所以称为静态工作点。;开路;画直流通路：;例：用估算法计算静态工作点。;2.3.1. 用图解法分析放大器的静态工作点;iB;ui;结论：（1）放大电路中的信号是交直流共存，可表示成：;对交流信号(输入信号ui);交流通路;3.交流负载线;交流负载线;交流量ic和uce有如下关系：;交流负载线的作法：;iC;iC;iC;2.3.3 等效电路分析法;1、三极管的h参数等效电路;各h参数的物理意义：;?iC; ;2、简化的h参数等效电路;3、rbe的计算：;二. 放大器的交流分析;2、电压放大倍数的计算：;电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。;定义：;所以：;例2.4.1 共射放大电路如图所示。设：VCC＝12V，Rb=300kΩ,Rc=3kΩ, RL=3kΩ,BJT的b =60。;2、估算电路的电压放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro。; 3. 若输出电压的波形出现如 下失真 ，是截止还是饱和 失真？应调节哪个元件？如何调节？;对于前面的电路（固定偏置电路）而言，静态工作点由UBE、?和ICEO决定，这三个参数随温度而变化。;1、温度对UBE的影响;2、温度对?值及ICEO的影响;I1;;（2）直流通道及静态工作点估算:; 将电容短路,直流电源短路，画出电路的交流小信号等效电路;电压放大倍数：;输入电阻：;思考：若在Re两端并电容Ce会对Au、Ri、Ro有什么影响？;一. 共集电极放大电路;2. 直流通道及静态工作点分析：;3. 动态分析;（2）电压放大倍数：;（3）输入电阻;（4）输出电阻;射极输出器的特点：电压放大倍数=1， 输入阻抗高，输出阻抗小。;二. 共基极电路;1. 静态工作点;2. 动态分??;（2）输入电阻;3. 三种组态的比较; 三. BJT电流源电路; 联立方程组：;2.6 场效应管放大电路; 2.6.1 场效应管;一. 结型场效应管; 2. 结型场效应管的工作原理;（2）漏源电压对沟道的控制作用;（1）输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数;四个区：;（2）转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数;二. 绝缘栅场效应管; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：; 2.N沟道耗尽型MOSFET;增强型MOS管uDS对iD的影响; 3、P沟道耗尽型MOSFET;4 .场效应管的主要参数;5 .双极型和场效应型三极管的比较;一. 直流偏置电路 保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 ;2.分压式自偏压电路;二. 场效应管的交流小信号模型 ;三. 场效应管放大电路;分析： （1）画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 ;（2）电压放大倍数;（4）输出电阻;四、复合管;讨论一判断下列各图是否能组成复合管;Ri=? Ro=?