“模拟电子技术基础”[第4版]第1章.pptVIP

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2017-04-22 发布于四川
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“模拟电子技术基础”[第4版]第1章

教材: 《模拟电子技术基础》;绪论一、课程的地位和主要内;绪论模拟信号：在时间和数值上连;计算机检测控制系统原理框图微机;三、如何学好模电绪论课程特点：;四、模电成绩如何算作业：１０％;内容提要半导体器件是组成各种电;1.2 半导体二极管 1.3;1.1.1 半导体的特性一、;4+简化模型（Ｓi，Ge）硅原;二、半导体特性温度??导电能力;纯净的、没有结构缺陷的半导体单;+4+4+4+4+4+4+4+;+4+4+4+4+4+4+4+;本征激发 —— 价电子受热及;注意本征半导体中载流子的浓度除;+4+4+4+4+4+4+4+;N型半导体结构示意图少数载流子;+4+4+4+4+4+4+4二;少数载流子负离子多数载流子P型;对于杂质半导体，多子浓度约等于;注意不论是N型半导体还是P型半;载流子的两种运动：扩散——载流;P 区N 区1.2.1 ;多子扩散－＞形成空间电荷区－＞;内电场方向E外电场方向RI1.;P 区N 区内电场方向ER空间;结论综上所述，当PN结正向偏置;PN结的伏安特性正偏：P——“;半导体基础知识半导体中的载流子;1.3.1 二极管的结构和;600400200– 0.1–;开启电压： UonSi 管：0;二极管的伏安特性受温度的影响。;1.3.4 二极管的等效电;一、二极管的直流模型1.理想二;2.二极管导通时正向压降为一常;3.二极管导通且正向压降uD大;二极管主要用于限幅，整流，钳位;URR VUI 用直流模型2E;图1.2.6 例1.2;【例1】下图中，已知VA=3;解： DA优先导通，则VY=3;【例2】下图是二极管限幅电路，;URR VUI iD Eval;二、二极管的小信号交流模型（微;即动态电阻与Q点有关Evalu;图1.2.8 直流电压和交流信;作业:1.4(1.3), 1.