0402ChipRLC制程与不良品分析流程-版本2.pptVIP

Chip R/C 製程與原材不良分析流程;Outline;Chip Capacitor構造;每一層電極交錯長度誤差不可大於10 Microns. 陶瓷基板為介電材料加上少許稀土元素 Example: BaTiO3 + RuO2(藍色) 內部電極可分為兩系列: 貴重金屬: Ag/Pd Base Metal: Ni 外部電極 I 為Ag 或 Cu. 如果外部電極為Cu,則不可在空氣下燒結,因 Cu在空氣環境中加熱易氧化產生CuO,故須 於大氣壓10-6~10-7 Torr間生產.;精密陶瓷的製造流程係先將介電材料粉體與黏結劑、 分散劑、塑化劑等有機物攙配成漿料後，藉黏結劑作 用使粉體能聚集在一起，而形成有足夠強度的生胚薄 片，後續再經刮刀成型、燒結及品檢等製程後，即為 精密陶瓷基板，成為被動電子元件的主要基材。;;Chip Resistor 構造;Chip resistor 製造流程;Chip Capacitor信賴性試驗;Chip Resistor信賴性試驗;Testing substrate:;PCB Pad 設計 vs.鋼版開孔設計 (0402 Chip);Model of Chip R/C Solder Wetting;Chip R/C不良之改善;1.Pad Design;2.Solder Mass;常見Pad及鋼版設計;3.Material Issue;認 識 電 鍍;一. 鍍浴的成份及其功能: 金屬鹽：提供金屬離子之來源如硫酸鎳,NiSO4. 導電鹽及陽極溶解助劑: 陽極有時會形成鈍態膜，不易補充金屬離，則需加陽極溶解助劑。 例如鍍鎳時加氯鹽,NiCl2. 緩衝劑: 電鍍條件通常有一定pH值範圍，防止pH值變動加緩衝劑，尤其是中性鍍浴 (pH5～8), PH值控制更為重要.常見調節PH值的緩衝劑為H3BO3. 鍍層性質改良添加劑: 例如小孔防止劑、硬度調節劑、光澤劑等改變鍍層的物理化學特性之添加劑. 潤濕劑: 一般為界面活性劑又稱去孔劑. 二. 鍍浴的準備 a.將所需的電鍍化學品放入在預備糟內與水溶解。 b.去除雜質。 C.用過濾器清除浮懸固體，倒入一個清潔電鍍槽內。 d.鍍浴調整，如pH值、溫度、表面張力、光澤劑等。 e.用低電流電解法去除雜質。 ;(1)鍍液組成：對鍍層結構影響最大，例如氰化物 鍍浴或複鹽鍍浴的鍍層，要比酸性單 鹽的鍍層細緻。其他如光澤劑等添加劑都影響很大。 (2)電流密度：電流密度提高某一限度時，氫氣會大量析出，電流效率低，產生陰極極化 作用，樹枝狀結晶將會形成。 (3)鍍浴溫度：溫度升高，極化作用下降，使鍍層結晶粗大，可提高電流密度來抵消。 (4)浴 電 壓：依浴組成、極面積、極距、攪拌、電流密度等而不同，必須實測之。滾桶 電鍍較一般電鍍的電阻大、陽極面積小、電流密度小，因而使用高濃度浴 或提高導電鹽的濃度，普通電壓為9~12V，亦有高至15V。 (5)液的淨化：陽極泥、沈碴等雜質會影響鍍層如麻點、結瘤、粗糙的表面，也會降低鍍 層之防蝕能力，所以必須經常過濾或連續性過濾固體粒子。淨化主要有下 列四種：(a)利用濾材過濾固體粒子(b)利用活泩碳和過濾去固體粒子和有 機物(c)利用弱電解除去金屬不純物(d)利用置換、沈澱、調整PH等化學方 法，去特殊的不純物。 (6)攪 拌：可防止氫氣停滯件表面形成針孔，一般攪拌可得到較細緻鍍層，但鍍浴需 過濾清潔，否則雜質因攪拌而染鍍件表面產生結瘤或麻點等缺點。可利用 空氣攪拌、陰極移動、鍍液循環等方式進行操作。 ;4.Mounting Misalign;5.Trace Pad Interaction;6.Solder Mask Design-1;;;8. Thermal vs. Mechanical Damage;Vacuum pick-up bit and top centering damage;Post solder handling damage ;V-cut 造成之Crack ;Hi-Pot 造成之Crack ;Chip R/C不???原因分析魚骨圖;;破 壞 性 分 析 方 法;Conclusion