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第六章 放大电路基础阶段复习;阶段复习内容;1半导体三极管;1.1三极管的结构与类型;2、NPN和PNP管的结构示意及符号;2、NPN和PNP管的结构示意及符号;发射结正偏;2、电流分配关系;2、电流分配关系; ICEO=(1+β)ICBO叫做穿透电流,当ICBO较小时,可以忽略不计,得IC=βIB,表明IC与IB成正比关系, β越大,IB控制IC得能力越强;输 入 回 路;(2)加入交流信号后 A.ΔIc是ΔIB的β倍,三极管对ΔIB有放大作用,β越大,控制能力越强,所以三极管是一个有电流放大的电流控制元件. B.ΔIc在RC上产生的输出电压ΔUo,而ΔUo比ΔUi大约大几十倍,可以得到电压放大。;1.3三极管的特性曲线;;(1)UBE 和iB之间的关系曲线 (2)用 UCE=1V 的输入特性曲线来代表UCE＞1V 所有输入特性曲线 (3)输入特性的死区电压： 硅管约为0.5V； 锗管约为0.1V。 发射结正偏导通后： 硅管 UBE=0.7V； 锗管 UBE=0.3V;2、输出特性曲线: (1) 是研究当 iB=常数 时，UCE和iC之间的关系曲线，用函数表示为:;2、输出特性曲线;（a） 输入特性曲线; （b） 输出特性曲线;3、把输出特性曲线划分成三个区; 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。;例2 测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。; 温度对三极管参数的影响;1.5 三极管的主要参数;2、极间反向电流 （1）集电极——基极间反向饱和电流ICBO A、发射极开路（IE= 0）时，基极和集电极之间的反向电流称ICBO B、硅管 ICBO＜1μA锗管 ICBO =10μA 左右 C、ICBO越小，管子质量越好。;2、极间反向电流 (2)集电极——发射极间的反向电流ICEO A、基极开路时（IB=0），集电极与发射极之间加反向电压时，从集电极穿过基区流到发射极的电流称ICEO B、ICEO =（1+β）ICBO C、要求ICEO越小越好。;全;1.6 放大电路的性能指标;三、输出电阻ro;如何确定电路的输出电阻ro ？;方法二：测量。;四、通频带;1.7 符号规定;2 基本共射放大电路的工作原理;2.1 共射放大电路的基本组成;集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。;集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。;使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。;耦合电容;可以省去;单电源供电电路;2.2 基本共射放大电路的工作原理及 波形分析;IBQ;(IBQ,UBEQ) 和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。;IB;uCE的变化沿一条直线;各点波形;实现放大的条件;2.3 放大电路的分析方法(重点) ;2.3.1 直流通道和交流通道 ;例：;对交流信号(输入信号ui);一、直流负载线;二、交流负载线;iC 和 uCE是全量，与交流量ic和uce有如下关系;交流负载线的作法;2.3.3 等效电路法 1）静态分析;（2）根据直流通道估算UCE、IB;二、图解法;例：用估算法计算静态工作点。(重点掌握);2） 动态分析;2. 输出回路;ube;二、放大电路的微变等效电路;三、电压放大倍数的计算;四、输入电阻的计算;五、输出电阻的计算;所以：;2.3.4 失真分析(待定) ;iC;iC;iC;2.4 静态工作点的稳定(重点掌握);一、温度对UBE的影响;二、温度对? 值及ICEO的影响;小结：;分压式偏置电路：;I1;可以认为与温度无关。;T;二、动态分析;CE的作用：交流通路中， CE将RE短路，RE对交流不起作用，放大倍数不受影响。;去掉 CE 后的交流通路和微变等效电路：;RB1;I1;RB1;交流通路：;问题：Au 和 Aus 的关系如何？;2.5 单管放大电路的三种基本接法(非重点) 2.5.1 基本共集放大电路;一、静态分析;二、动态分析;1. 电压放大倍数;1.;2. 输入电阻;3. 输出电阻;一般：;射极输出器的使用;放大的意义与框图;基本单级放大电路的连接形式;2. 基本单级大电路三种连接方式 A. 共射放大电路（CE，Common Emitter） B. 共集放大电路（CC，Common Collector） C. 共基放大电路 (CB，Common Base) ;A. 共射放大电路;B. 共集放大电路;C. 共基放大电路;一个放大