物性讲义(电学1)-导体-半导体-绝缘体分解.ppt

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材料物理;为什么要学《材料物理》; 使用教材: 邱成军等 主编《材料物理性能》,哈尔滨工业大学出版社,2003。 参考书目: 1. 马向东,王振廷.材料物理性能.中国矿业大学出版社,2002. 2. 田莳,材料物理性能.北京航空航天大学出版社,2001 3. 关振铎,张中太,焦金生.无机材料物理性能.清华大学出版社,1998. ;主要内容及学时安排;注意事项;第一章 材料的电学性能;1.1 固体的导电性和晶体能带; 不同材料的电阻率( 或电导率 ? = ρ -1):;二、晶体的能带 导体和非导体的区别 半导体和绝缘体的区别;(a)金属:满带、空带和未满带; (b) 绝缘体:满带和空带,禁带宽度Eg比较大; (c) 半导体:满带和空带,禁带宽度很小;(d) 半金属:满带和空带,无禁带宽度;有关能带被占据情况的几个名词:; 它们的导电性能不同, 是因为它们的能带结构不同。; 在外电场的作用下,大??共有化电子很 易获得能量,集体定向流动形成电流。;从能级图上来看,是因为满带与空带之间 有一个较宽的禁带(?Eg 约3~6 eV), 共有化电子很难从低能级(满带)跃迁到 高能级(空带)上去。;三、导电性的表征参数 1.电阻R与电阻率ρ 2.电导与电导率σ:电阻率的倒数,电导率越大,材料导电性越好。 3.导体、半导体与绝缘体 导 体: ρ <10 。 纯金属ρ:10 ~10 合金ρ:10 ~10 。 半导体:ρ在10 ~10 。 绝缘体:ρ>10 。 ;一、金属的导电机制与马基申定则 ●用量子电子理论和能带理论可导出所有材料的电导率: 此式完整地反应了晶体导电的物理本质。 量子力学可以证明,当电子波在绝对零度下通过一个理想的晶体点阵时,它将不会受到散射而无阻碍地传播,即 无穷大,这时ρ=0,而σ为无穷大,即此时的材料是一个理想的导体。;在晶体点阵的完整性及由于晶体点阵离子的热振动,晶体中的异类原子、位错和点缺陷等使晶体点阵的周期性遭到破坏,电子波就会受到散射, 减小,从而产生了阻碍作用,降低导电性,这就是材料产生电阻的本质所在。 令 为散射系数,可导出: 即材料的电阻与散射系数成正比。 ●金属电阻随温度升高而升高原因: 金属材料随温度升高,离子热振动的振幅增大,电子就愈易受到散射,可认为μ与温度成正比,则ρ也与温度成正比。 ; 由于实际的晶体并非理想,会有杂质和缺陷。因此,传导电子的散射发生在电子-声子、电子-杂质以及其它点阵静态缺陷相互相碰撞的时候。 金属电阻包括: (1)基本电阻ρ(T) :对应声子散射和电子散射两机制,由热振动产生,与温度有关,0K时为0。纯金属电阻率。 (2)残余电阻ρ残 :对应电子在杂质和缺陷上的散射机制, 0K时金属的电阻。反应了金属的纯度和完整性。 ;●马基申定律 马基申等人把固溶体电阻率看成由金属基本电阻率ρ(T)和残余电阻ρ残组成。 即ρ=ρ(T)+ρ残 称为马基申定律。 问题:马基申定律忽略了电子各种散射机制间的交互作用,但简明描述了合金的导电性,并对于低浓度固溶体与实验事实符合的很好。 根据马基申定律,在高温时金属的电阻率基本上取决于ρ(T) ,而在低温时取决于ρ残。既然ρ残是电子在杂质和缺陷上的散射引起的,那么ρ残的大小就可以用来评定金属的电学纯度。 考虑到ρ残测量困难,实际上常采用相对电阻率ρ(300K)/ ρ(4.2K)的大小来评定金属的电学纯度。晶体越纯、越完善,相对电阻率越大。许多完整的金属单晶相对电阻率可高达20000。; 二、影响金属导电性的因素 主要因素:温度,受力情况,冷加工,晶体缺陷,热处理,几何尺寸效应,电阻率各向异性。 1. 温度 加热时发生点阵热振动和振幅的变化,出现相变、回复、空位、再结晶以及合金相成分和组织的变化,这些现象对电阻的变化有重要影响。 测量电阻与温度的关系是研究这些现象和过程的一个重要方法。对于简单金属,情况如下。 (1)一般规律(指一般金属的规律) 在绝对零度下,纯净又无缺陷的金属,电阻率等于零。随温度的升高金属电阻率增加。理想晶体的电阻率是温度的单值函数,若晶体中存在杂质和结构缺陷,那么电阻率与温度的关系曲线将发生变化。 ;●ρ(T)与θD 之间的关系 ρ(T)在θD 以上和以下与温度有不同的函数关系:(电子-声子散射) T<< θD 时: 电子

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