129671741065464335期末复习题目小结.pptVIP

Iamin=UO/Ra=0.2V /82 kΩ=2.439μA 入射光通量为0.6×10-6lm时的阴极电流为 IK= SKφv=40×10-6×0.6×10-6=24×10-6μA 此时，PMT的增益G应为 由于 ，N=8，因此，每一级的增益δ=4.227，另外，SbCs倍增极材料的增益δ与极间电压UDD有， ，可以计算出δ=4.227时的极间电压UDD 总电源电压Ubb为 Ubb=（N+1.5）UDD=741V Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (2) 计算偏置电路电阻链的阻值 设流过电阻链的电流为IRi，流过阳极电阻Ra的最大电流为 Iam=GSKφvm=1.02×105×40×10-6×12×10-6=48.96μA 取IRi≥10 Iam，则 IRi=500μA 因此，电阻链的阻值Ri= UDD/ IRi=156kΩ 取Ri=120 kΩ，R1=1.5Ri=180 kΩ。 (3) 计算偏置根据式（4-35）输出信号电压的稳定度最高为 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光电技术综合习题解答 一、选择最适当的填入括号中（只填写其中之一的符号） ① 在光电倍增管中，产生光电效应的是（A）。 A．阴极 B．阳极 C．二次发射极 D．光窗 ② 光电二极管的工作条件是（C ）。 A．加热 B．加正向偏压 C．加反向偏压 D． 零偏压 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ③ 在光电倍增管变换电路中，要想获得理想的信噪比（压低噪声），较小的暗电流，适应的灵敏度和较高的稳定度，可以适当地（ B）。 A．增加末三级并联电容的容量 B． 降压电源电压 C．减小末级倍增极与阳极间的电压 D．增加阴极与第一倍增极间的电阻阻值 ④ 硅光电池在（ D）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。 A．开路 B．自偏置 C．零伏偏置 D．反向偏置 ⑤ 硅光电池在（B）情况下有最大的功率输出。 A．开路 B．自偏置 C．零伏偏置 D．反向偏置 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⑥辐射通量，光通量，发光强度，光照度的单位分别为（ A ）。 (A)瓦特，流明，坎德拉，勒克司 (B) 瓦特，坎德拉，勒克司，流明 (C)流明，瓦特，瓦特每球面度，瓦特每平方米 (D)流明，瓦特，勒克司，坎德拉 ⑦ 在入射光辐射下，半导体的电导率增加的现象属于（ C ）。 (A)外光电效应 (B)光热效应 (C)光电导效应 (D)光生伏特效应 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ③ 在光电倍增管变换电路中，要想获得理想的信噪比（压低噪声），较小的暗电流，适应的灵敏度和较高的稳定度，可以适当地（ B）。 A．增加末三级并联电容的容量 B． 降压电源电压 C．减小末级倍增极与阳极间的电压 D．增加阴极与第一倍增极间的电阻阻值 ④ 硅光电池在（ D）偏置时，其光电流与