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* * WIRE BONDER教育资料 ● Wire Bond工程是Lead Frame上的Chip与Lead Frame之间用Gold Wire连接的工程. ◆Wire Bond的方式 ① TCB (Thermo Compression Bonding) 利用Temp、Force、Time三种参数进行的热压着方式. ② TSB (Thermo Sonic Bonding) →现阶段一般使用的Bonding方式.即除Temp、Force、Time三个要素以外, 追加超声波振动的方式.利用Ultrasonic Energy,实现高速度、高质量的 Bonding方式. 次目 １．设备概要 2 . Bonding 过程 3 . Wire Bonding用Capillary 4 . Cut Wire Clamp Spark Rod调整 5 . Wire Pull Test Position 6 . Wire Bond的安定化 ① Bonding head ② XY 工作台 ③ 搬运器 ④ Loader ⑤ Unloader ⑥ Wire 供给 ⑦ 监视器台 ⑧ 控制面板 ⑨ 框架 (控制箱) 1.设备构造 ① ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ WORK TOUCH PAD 表面清洁度 Bonding部位 L/F是否变形 变形后 影响Bonding部位的固定 Al/Au原子的扩散 增大 提高Bonding时的结合能力 提高原子之间的再结合能力 Initial Ball PAD 材质软化 塑性 增大 加热 Ultrasonic Energy 超声波振动 荷重 原子之间的扩散接合 超声波热压接方式的理论基础 2-1. BALL BONDING 的过程 1 2 3 4 5 6 7 8 Z-Axis Moving 1st Tool Height Z-Axis Origin Height 1st Search l Height 2nd Tool Height 2nd Search l Height Feed Up Spark Up Spark Height US Press Cut Clamp Spark 1st US Time 2nd US Time 1st Bond Press 1st Search Press 2nd Search Press 2nd Bond Press Feed Spark Power Spark Time 2-2. Bonding Parameter Timing WD : Wire Diameter (WIRE 直径) H : Hole Diameter (Hole 直径) CD : Diameter (CHAPER 直径) CA : Chamfer Angle (CHAMFER 角度) OR : Outer Radius (Outer 半径) FA : Face Angle (FACE 角度) T : Tip 3．BONDING用 CAPILLARY 3－１　CAPILLARY各部位介绍 （参照 SPT 及 PECO 的设计标准) FA H CD T CA WD OR Capillary 的各部位的设计分别决定了 CHIP的PAD部位及L/F的STITCH SIZE部位的Bonding状态. H WD 3-2. Capillary各部位的设计规格 在Bonding过程中所起的作用 ●H: Hole Diameter (Hole 直径) ● WD: Wire Diameter (Wire 直径) ※ Hole的直径通常为Wire直径的1.3~1.5倍. 其数值决定了Ball Neck部位的直径. T ●T: Tip Diameter (Tip 直径) ※ Tip直径最直接影响2nd 部位的Bonding表面 积 Tip Diameter大 → 2nd Stitch面积大 FAB ICA ●FAB: Free Air Ball (Initial Ball) ※Initial Ball的直径通常设定为Wire直径的2~2.5倍. ●CD: Chamfer Diameter ※影响Ball Size Ball形状 ●ICA: Inside Chamfer Angle (内切面 角度) ※影响Ball的粘接面积和2nd处的Stitch面积 ●MBD: Ball Diameter ※Ball的直径为内切面(CD)的1~1.2倍 CD MBD FA ● FA: Face Angle ● OR: Outer Radius ☆ Capillary的FA OR规格是影响2nd部位