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电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析引用信息Citatio
电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析 曾骏哲 何承发 李豫东 郭旗 文林 汪波 玛丽娅 王海娇 ParticletransportsimulationandeffectanalysisofCCD irradiated by protons ZengJun-Zhe HeCheng-Fa LiYu-Dong GuoQi WenLin WangBo Maria WangHai-Jiao 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,114214(2015) DOI: 10.7498/aps.64.114214 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.114214 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I11 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin 质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 Darksignaldegradationinproton-irradiatedcomplementarymetaloxidesemiconductoractivepixelsensor 物理学报.2015,64(8): 084209 /10.7498/aps.64.084209 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析 Analysis of ionizing and department damage mechanism in proton-irradiation-induced scientific charge- coupleddevice 物理学报.2015,64(2): 024220 /10.7498/aps.64.024220 溢油海水双向反射分布函数的建模及仿真 Modelingthebidirectionalreflectancedistributionfunctionof seawater with spilt oil 物理学报.2014,63(13): 134211 /10.7498/aps.63.134211 位移效应对量子点激光器的性能影响 Displacementdamageeffectsonthecharacteristicsofquantum dot lasers 物理学报.2013,62(9): 094219 /10.7498/aps.62.094219 位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响 Displacementdamageeffectonthecharacteristicsofquantum well laser 物理学报.2012,61(21): 214211 /10.7498/aps.61.214211 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 11 (2015) 114214 电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与 效应分析 曾骏哲 何承发 李豫东 郭旗 文林 汪波 玛丽娅 王海娇 1) (中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011) 2)(中国科学院大学, 北京 100049) ( 2014 年9 月17 日收到; 2014 年11 月25 日收到修改稿) 应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD) 结构中的能量沉积, 并结合该CCD 的质子辐照试验及退火试验数据, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算体硅内沉积的位移损 伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化 规律. 研究结果显示, 暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致; 退火后暗信号大幅度降
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