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F碎片 产生原因 1. 印刷压力过大。 2. 定位夹具过紧。 3. 印刷台面有突出。 4. 硅片质量问题。 5. 硅片传递过程中造成隐裂。 解决方法 1. 降低印刷压力。 2. 调松定位夹具。 3. 清理台面。 4. 切换合格硅片。 5. 查找具体原因。 一、丝网印刷 印刷偏移 产生原因 1. 网版未对准。 2. 定位夹具精度不够。 3. 硅片尺寸不一。 4. 硅片重量差异过大。 解决方法 1. 重新对网版。 2. 调整定位夹具。 3. 切换合格硅片。 4. 切换合格硅片。 一、丝网印刷 毛刺、线条模糊 产生原因 1. 浆料黏度过大。 2. 印刷压力过大。 3. 刮胶不平。 4. 丝网间隙过小。 5. 网版张力不够。 6. 印刷时硅片移动 解决方法 1. 调整浆料黏度。 2. 降低印刷压力。 3. 重装刮胶。 4. 加大丝网间隙。 5. 更换合格网版。 6. 加大真空吸力。 一、丝网印刷 铝珠铝包 铝珠一般由于背场湿重过高引起，降低湿重即可解决。 铝包通常有五个因素决定：背场湿重，硅片重量，硅片表面状况，浆料，烧结。 现场生产时主要通过调节背场湿重来控制铝包。一般加大背场湿重会减少铝包。 一、丝网印刷 翘曲 产生原因 1. 铝背场湿重过大。 2. 硅片太薄。 3. 浆料原因。 解决方法 1. 降低湿重。 2. 切换合格硅片。 3. 试用新浆料。 一、丝网印刷 缺印 产生原因 1. 浆料未及时添加。 2. 丝网间隙过大。 3. 印刷压力过小。 4. 硅片表面有异物。 5. 硅片厚薄不均。 解决方法 1. 及时添加浆料。 2. 降低丝网间隙。 3. 加大印刷压力。 4. 清除异物。 5. 切换合格硅片。 二、烧结 1.烧结炉认识 干燥区——干燥正电极，同时进一步干燥背场，以及燃烧有机物。 烧结——在高温下，固体颗粒的相互键联，晶粒长大，空隙(气孔)和晶界渐趋减少，通过物质的传递，形成良好的欧姆接触，减小Rs。 冷却区—冷却形成再结晶层，这个再结晶层是较完美单晶硅的晶格点阵结构，形成较好的欧姆接触。 二、烧结 2、电池片烧结机理 烧结的动力学原理： 浆料中的固体颗粒系统是高度分散的粉末系统，具有很高的表面自由能。因为系统总是力求达到最低的表面自由能状态，所以在烧结过程中，粉末系统总的表面自由能必然要降低。 烧结时，颗粒由接触到结合，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能降低，系统转变为热力学中更稳定的状态。 备注： 烧结初始阶段颗粒间通过粘附作用产生键合、靠拢和重徘；随着温度的升高，浆料与硅片发生扩散传质过程，最终形成良好的欧姆接触（欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，大部分的电压降在活动区而不在接触面 ） 二、烧结 3、电池片烧结过程 A .烘干金属浆料，并将其中的添加料挥发 B. 颗粒重徘，接触处产生键合，大气孔消失,传质开始，粒界增大，空隙进一步变形缩小 ，达到577℃时，发生共晶反应，铝硅传质继续，粒子长大，最终形成硅铝液相。 C.Ag浆料中的玻璃添加料在高温（700度）下烧穿SiN膜，使得Ag金属接触硅片表面，电导率增大，接触电阻减小导致Rs降低。 D .随着温度的下降，液相中的硅将重新凝固出来，形成含有少量铝的结晶层，它补偿了N层中的施主杂质，从而得到以铝为受主杂质的P层，达到了消除背结的目的。 二、烧结 4、电池片烧结结果要求 经烧结后的电池片应满足以下几个方面： 1 无电极脱落或浆料脱落 ；（受热要均匀，印刷厚薄一致） 2 电极无断珊；（印刷前无油污） 3 背场无铝珠铝刺铝包（受热均匀，不过烧，印刷良好，浆料本身特性） 断栅 烧过 正常 裂纹 没烧好 二、烧结 5、烧结炉温度调节 烧结温度温区的选择 如果出现弓片，铝珠和鼓包问题，首先可以选择降低8区和9区的温度，同时结合4，5和6区的温度，如果仅仅是电性能的异常，就主要选择调节8区和9区的温度，7区的温度配合着调节。 烧结温度升降的选择（在前面工序无问题的情况下） 过烧：导致更多的杂质驱入到pn结附近，增加了局部漏电的几率，这样并联电阻会偏小，反向电流偏大，（但是这也不是绝对的，因为当银浆污染和边缘刻蚀不足时也有可能出现这种情况，其实这个时候也可以参考一下短路电流，温度过高时表面复合的几率又大一些，短路电流会小一些，这可以作为调节温度的一个参考点。）如果判断出是过烧，那么就降低9区温度，同时配合调节8区温度和带速。 欠烧：欧姆接触没有完全形成，串联电阻会偏大，填充因子偏低，而联电阻和反向电流都正常。那么这样我们就可以调高9区温度，配合调节8区或者带速 弓片