晶片研磨速率及损伤层的研究.pdf

第35卷，增刊 红外与激光工程 2006年10月 and V01．35 Infrared 0ct．20()6 Supplement EaselEngineering 晶片研磨速率及损伤层的研究 王志芳 (华北光电技术研究所，北京100015) 摘要：现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度，还要求有低损伤、高质量的加工 表面．为了达到这个目的，对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究，并制定合理的研磨工序是 必需的。叙述了研磨的本质及损伤层的产生，研究了晶片减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研 磨压力的关系，比较了不同磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响，为制定合理的研磨工序提供了依据。 关键词：光电器件； 损伤层； 研磨；本质 中图分类号：TN213 文献标示码：A 文章编号：1007．2276(2006)增E．0188．04 hcraeRqsesearchRsnoon0nitacolsantlandiddislocationsor“WaferIer gringdinggringaing WANG Zhi-fang ChinaResearchInstitute (North ofElectro-optics，Beijing100015。China) Abstract：Modemelectronicdevicesnot controloverwafer in onlyrequireincreasinglystringent geometry and also a termsofsurface thickness，butdemand lowdislocationand flatness，specimenparallelism very high surfacefinishOllthe ordertoachievethis removalrateofunderdifferentconditionsand quality sample．In aim，the thelevelof to andformulateareasonable isessential．Inthe relation injurystudy grindingprocesses paper，the betweenrateand and andthe hasbeendescribed．Itisaevidenceof roughnessplatespeed pressure comparing torateanddislocation． granularity words：Deviceof Key pho