第一章常用半导体器件111课件.pptVIP

Home Next Back 19 例1.3.2 已知NPN型硅管T1~ T4 各电极的直流电位如表1.3.1所示，试确定各晶体管的工作状态。 工作状态 15 0 0.7 5 VC/V 0 -1.7 0.3 0 VE/V 0 -1 1 0.7 VB/V T4 T3 T2 T1 晶体管 提示： NPN管（1）放大状态：VBE Von, VCE VBE; （2）饱和状态： VBE Von, VCE VBE; （3）截止状态： VBE Von 表1.3.1 放大 饱和 放大 截止 Home Next Back 20 例1-7 图1.3.20 所示电路中，晶体管为硅管， VCES=0.3V 。求：当VI=0V、VI=1V 和VI=2V时VO=? 图1.3.20 解：(1) VI=0V时， VBE Von，晶体管截止，IC=IB=0， VO= VCC=12V。 Home Next Back 21 (3) VI=2V时： (2) VI=1V时： (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 1.3.4 晶体管的主要参数 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 B E C N N P ICBO ICEO= (1+ ?) ICBO IEP ? ICBO ICBO进入N区，形成IEP 根据放大关系，由于ICBO的存在，必有电流? ICBO 。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 7. 特征频率fT 　　电流放大系数下降到1时的信号频率称为特征频率。 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 实验证明，温度每升高10℃， ICBO增加约一倍；反之，当温度降低时ICBO减小。另外，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 二、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高1℃， uBE大约下降2～2.5mV。对特性曲线的影响如图1.3.8所示。 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 图1.3.8 温度对晶体管输入特性的影响 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 三、温度对输出特性的影响 图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响 温度升高1℃，β增加0.5～1％。 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 1.3.6 光电三极管 图1.3.10 光电三极管的等效电路、符号和外形 (1-*) 第1章 常用半导体器件 结束 图1.3.11 光电三极管的输出特性曲线 补充：半导体三极管的测试与应用 **半导体三极管使用基本知识 一、外型及引脚排列 E B C E B C E B C B E C 第2章 半导体三极管 二、万用表检测晶体三极管的方法 1. 根据外观判断极性 3. 用万用表电阻挡测量三极管的好坏 PN结正偏时电阻值较小(几千欧以下) 反偏时电阻值较大(几百千欧以上) 指针式万用表 在 R?1k 挡进行测量 红表笔是(表内)负极