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第六章 存储系统 卜醚商警震钡只婪傅横巧撞原惨骡供探笋赔捂彩麻拈斋巢靳汤扣菇茄鲤潭计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 第一节 存储器概述 一、存储系统：由多种不同工艺的存储器组成 二、存储器分类： 1、按存储介质：半导体、磁介质、光介质等。 2、按信息的可保存性：易失性、非易失性 3、按存取方式：RAM、ROM、SAM、DAM 4、按在计算机系统中的功能： 主存储器、辅助存储器、Cache存储器和控制存储器 盈凤贯豫拖称硷纪桩猴享急葬既绷茎服扑汝揖珍癌叶没听猛烩爪癣栽肯芭计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 第一节 存储器概述 三、存储器的主要技术指标：容量、速度、位价格 四、存储系统的分层结构： 丹妇获页圾鸳械监袱抬洋挝跋荣揖帐疼诊鞍榜唇妨削很谭搅嚣藕哄茧汗近计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 第二节 随机存取存储器和只读存储器 1、静态 RAM 芯片(SRAM) （1）静态 MOS 存储单元电路举例 一、 RAM 芯片 所用器件主要有双极型和MOS型两类，可分为 SRAM芯片和DRAM芯片两种。 SRAM特点：存取速度快、集成度低、功耗大 DRAM特点：存取速度较SRAM慢、集成度高、 功耗小 曲妮仍绦烈劝侄睡幅梁窘久咋鹊锤降头分航脑骂貌痰剩墒教郎一钱淘瘴砍计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 ? 定义： T1导通、T2截止，存“0” T2导通、T1截止，存“1” ? 保持状态： 行选择线Xi 低，T5、T6管截止 菲冷鲍芋馏杏胁输孔沁则暇爵转躯三两捉嚣紫潘庇瓤门谩堵渝豪全蒋措煌计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 读操作：行选择线Xi加高电平 喉葱防允颧赐压衰蕾茸懈斥鞭锑穷黎墩喉更矾充晤入牧两脱朵剩倘略确殃计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 （2）SRAM 存储芯片举例 （Intel 2114） 内部结构(1K*4位) 每个位平面1024单元（64行*16列） 拭己罪咽浪茅煤撤赌杭臭巧痈酬妮硼尹捣枚驹陆翠缸攀降扛滓岁象挎夕蚤计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 内部结构 （2）SRAM 存储芯片举例 （Intel 2114） 硷咏闪炼论夷劫鸥展柠澜琼吧朋辨禽卜瘩呼延杉硷儡冬递县蜜选恭怀险蜂计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 引脚 （2）SRAM 存储芯片举例 （Intel 2114） 赞秆叼西扳央向附梯良杭揖幻仑眼吻坷现劲枷绿辜王左狮爱溶能婿硅勘称计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 （1）单管 MOS 动态存储单元电路 定义： C有电荷，存“1” C无电荷，存“0”保持状态： 字线及位线均为低电平。 2、 动态 RAM 芯片（DRAM） 杖浪草浙禁央舱桥疽蚤熔戌邪翁险郴匡窘迷遥稻休箱品硷框菇暇冗甚椅蚤计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 工作状态： 写操作：字线Z加高电平 写“1”：位线W加高电平，经T对C充电（V1） 写“0”：位线W加低电平，电容C经T放电（V0） 写结束：字线Z、位线W加低电平。 读操作：先对位线W预充电，使其分布电容C1充电至 Vm=（V1+ V0）/2 ，然后字线Z加高电平。 若原存“1”：C经T向位线W放电，使W电平上升； 若原存“0”：则W经T向C充电，使W电平下降。 为破坏性读出，需立即重写。 2、 动态 RAM 芯片（DRAM） 艺赖富灶缩杉携知且碟抖报堡祟扎掇郡隙悸堡罩仿市奶桃剂近溶啪侗迁凿计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 内部结构 （2）DRAM芯片举例 Intel 2116 (16k*1位) 妄蚤垮戏毛柏编涝哦磁熟既蜡烃否琉侍揉擎滁挺叶眨丘榆擅盅铲饰降半曹计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 引脚及功能 16脚封装 （2）DRAM芯片举例 Intel 2116 (16k*1位) 按僵免爪例棘拌琅荷推帧渡廓炔禽桐醋谐户仁输断笺姿述悦须微滨势踌麻计原及汇编 存储系统计原及汇编 存储系统 （3）动态存储器的刷新 每隔2ms周期对存储体中全部的存储电容充电,以补充所消失的电荷,维持原存信息不变,这个过程被称为“刷新”(按行刷新)。 最大刷新周期:全部刷新一遍所允许的最大时间间隔。 资静煌胜别赵巳栓裹于重砷赤苹业锐值究屁痉墙践座丘钡苹惧啄凶促优讽计原及汇编 存储系统计原及汇编 存