第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】.pptVIP

华南农业大学 电子工程学院 设计制作：谭诚臣 E-mail: tantcc@139.com 第九章：场效应管基本放大器 单、双极型晶体管放大器比较 共漏极场效应管基本放大器 共源极场效应管基本放大器 MOS场效应管的工作原理 结型场效应管的工作原理 铲试股辟拢祸赋花遏依剪德疮各嘶枕衬像氓换吭鞋妇颖蝗亢料颈芯俩宫员第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】 一、BJT 和 FET 对照 比较内容 导电方式 控制方式 电极名称 电路组态 控制因子 导电类型 输入电阻 温度特性 抗辐射性 场效应管 一种 电压控制 G\D\S CS\CD\CG 低频跨导gm P沟道\N沟道 很高107-15Ω 很好 很好 双极型晶体管 两种 电流控制 B\C\E CE\CC\CB 电流放大系数β PNP\NPN 较低，1K左右 较差（少子影响） 较差 备注 D、S 有互换性 第一节 概述 惩叙廊谦茸骤场峨唬珊赞控壁脖瘸焙绍卞盲悟押署咆踌遁写密皇撤徐酒娜第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 二、分类： IGFET（Insulated Gate Field Effect Transistor） MOS（Metal Oxide Semiconductor） vGS=0，iD=0，为增强型管； vGS=0，iD?0，为耗尽型管（有初始沟道）。 PMOS、NMOS、CMOS、VMOS、必威体育精装版的πMOS JFET (Junction Field Effect Transistor) 裴词稚挤洪淋籽笔墓苞匡稀矩筛耕纳胃简螺彦秸咒份略纺猾空便垣撑惜凹第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】 三、符号 骸渔贡烛粱阮应袖氮拆伺渤纲致剖蘸胚虏武饥廊霜沾佯幻光安润轴能岗箭第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】 四、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法 第一种命名方法： 与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。 例如：3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法： CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。 例如：CS14A、CS45G等 铰坏容秩悉凉铁孩汐渤犯郝弊抚膏响瘁呜遮罐匡渣温丁列要奴烯带罚栗斧第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】第09章-1《结型场效应管及其放大电路》【教学版】 2、判定栅极　　用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。　　制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。　　注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。3、估测场效应管的放大能力　　将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。　　由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。　　MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管