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铜丝键合工艺在微电子封装中的应用 赵钰 ? 1引言??? 当今半导体行业的一些显著变化直接影响到IC互连技术，其中有3大因素推动着互连技术的发展。第一是成本，也是主要因素，目前金丝键合长度超过5mm，引线数达到400以上，封装成本超过0.20美元。而采用铜丝键合新工艺不但能降低器件制造成本，而且其互连强度比金丝还要好。它推动了低成本、细间距、高引出端数器件封装的发展。第二是晶片线条的尺寸在不断缩小，器件的密度增大、功能增强。这就需要焊区焊点极小的细间距、高引出端数的封装来满足上述要求。第三是器件的工作速度，出现了晶片铝金属化向铜金属化的转变。因为晶片的铜金属化可以使电路密度更高、线条更细。对于高速器件的新型封装设计来说，在封装市场上选择短铜丝键合并且间距小于50μm的铜焊区将成为倒装焊接工艺强有力的竞争对手。表1列出铜作为键合材料用于IC封装中的发展趋势。 表1材料组合 细引线 晶片上的焊区金属化 应用时间 铜（Cu） Al 1989年 金(Au) Cu＋溅射铝(Al)的焊区 2000年 Au Cu＋镀镍/金(Ni/Au)焊区 2000年 Au Cu＋OP2(抗氧化工艺) 2001年 Cu Cu 2002年～将来 2铜丝键合工艺的发展??? 早在10年前，铜丝球焊工艺就作为一种降低成本的方法应用于晶片上的铝焊区金属化。当时，行业的标准封装形式为18个～40个引线的塑料双列直插式封装，其焊区间距为150μm～200μm，焊球尺寸为100μm～125μm，丝焊的长度很难超过3mm。与现在的金丝用量相比，在当时的封装中金丝用得很少。所以，实际上金的价格并不是主要问题。此外，在大批量、高可靠的产品中，金丝球焊工艺要比铜丝球焊工艺更稳定更可靠。然而，随着微电子行业新工艺和新技术的出现及应用，当今对封装尺寸和型式都有更高、更新的要求。首先是要求键合丝更细，封装密度更高而成本更低。一般在细间距的高级封装中，引出端达500个，金丝键合长度大于5mm，其封装成本在0.2美元以上。与以前相比，丝焊的价格成为封装中的重要问题。表2列出铜和金的封装成本比较。由此，专家们又看中了铜丝，在经过新工艺如新型EFO(电子灭火)、OP2(抗氧化工艺)及MRP(降低模量工艺)（这些工艺在下文中将作详细说明）的改进后，使铜丝键合比金丝键合更牢固、更稳定。尤其是在大批量的高引出数、细间距、小焊区的IC封装工艺中，成为替代金丝的最佳键合材料。 表2长5mm、直径为1μm的金丝和铜丝封装成本比较 材料 引线数 丝焊成本/（封装/美元） Au 256 0.12 Cu 256 0.06 Au 400 0.19 Cu 400 0.09 ??? 超细间距的球形键合工艺是随产品尺寸和线条不断缩小的要求而发展，特别是因为器件的包封密度要求越来越高。当间距尺寸低于60μm时，键合丝的直径必须低于25μm。而直径低于25μm的金丝在硬度和强度上都要略差一些，工艺实施也比较困难。但是采用直径低于25μm的铜丝，其硬度比金丝硬度大40％，强度是金丝的两倍，且便于工艺操作，器件产量高。因此,在当今高级微电子封装中，硅晶片上的铝金属化工艺正在朝着铜金属化工艺发展，铜丝键合明显占优势。目前，在晶片上实现铜丝金属化工艺的线条最细可达到0.18μm。预计到2003年，其线条最细可低于0.13μm。图1示出直径为25μm的铜丝、铝丝和金丝的强度及硬度对比图。  3晶片金属化层的键合工艺??? 当今，全球的IC制造商普遍采用3种金属互连工艺，即：铜丝与晶片铝金属化层的键合工艺，金丝与晶片铜金属化层的键合工艺以及铜丝与晶片铜金属化层的键合工艺。近年来第一种工艺用得最为广泛，后两者则是今后的发展方向。3.1铜丝与晶片铝金属化层的键合工艺??? 近年来，人们对铜丝焊、劈刀材料及新型的合金焊丝进行了一些新的工艺研究，克服了铜易氧化及难以焊接的缺陷。采用铜丝键合不但使封装成本下降，更主要的是作为互连材料，铜的物理特性优于金。特别是采用以下3种新工艺，更能确保铜丝键合的稳定性。　　1）充惰性气体的EFO工艺　　常规用于金丝球焊工艺中的EFO是在形成焊球过程中的一种电火花放电。但对于铜丝球焊来说，在成球的瞬间,放电温度极高,由于剧烈膨胀,气氛瞬时呈真空状态,但这种气氛很快和周围的大气相混合，常造成焊球变型或氧化。氧化的焊球比那些无氧化层的焊球明显坚硬，而且不易焊接。新型EFO工艺是在成球过程中增加惰性气体保护功能,通俗说法就是铜焊球成形过程中的气氛保护工艺，即在一个专利悬空管内充入氮气，确保在成球的一瞬间与周围的空气完全隔离，以防止焊球氧化,焊球质量极好，焊接工艺比较完善。这种新工艺不需要降低周围气体的含氧