硅基氮化铝薄膜的制备以及表征.docVIP

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2017-02-13 发布于天津
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硅基氮化铝薄膜的制备以及表征目前国内外制备薄膜的技术和方法有很多种溅射电流为变化图薄膜随溅射电流变化的图溅射电流对氮化铝薄膜表面形貌的影响论文关键词薄膜溅射电流表面形貌引言近年来科研工作者们对族化合物半导体材料的研究发展迅速其中氮化铝由于有其优良的物理特性而倍受现代研究者的关注氮化铝具有高硬度高击穿场强高热导率高电阻率等物理特性根据理论计算氮化铝的本征禁带宽度为是一种典型的宽能隙直接带隙半导体所以其薄膜可作为基于和的微电子器械中也可在大功率高温设备中作为一种绝缘物质替代高质量的氮化铝还具有极高的

硅基氮化铝薄膜的制备以及表征　　目前国内外制备AlN薄膜的技术和方法有很多种。溅射电流为0.30-0.40A变化。图1AlN薄膜随溅射电流变化的XRD图。溅射电流对氮化铝薄膜表面形貌的影响。　　论文关键词：AlN薄膜，溅射电流，XRD，表面形貌　　引言　　近年来，科研工作者们对Ⅲ-V族化合物半导体材料的研究发展迅速。其中氮化铝由于有其优良的物理特性而倍受现代研究者的关注。氮化铝具有高硬度、高击穿场强（10kV/m）、高热导率[3.2W/(cm·K)] 、高电阻率等物理特性。根据理论计算，氮化铝的本征禁带宽度为6.2eV，是一种典型的宽能隙直接带隙半导体,所以其薄膜可作为基于GaAs和