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4、生产SOG硅的新工艺技术 ? ? 以上三种方法主要定位于EG硅的生产，兼顾SOG硅的生产。为了降低SOG硅的生产成本，发展了以太阳能电池用为目的的多晶硅生产新工艺技术。 4.1 冶金法 ? ? 从1996年起，在日本新能源和产业技术开发组织的支持下，日本川崎制铁公司（Kawasaki Steel）开发出了由冶金级硅生产SOG硅的方法。该方法采用了电子束和等离子冶金技术并结合了定向凝固方法，是世界上最早宣布成功生产出SOG硅的冶金法（Metallurgical Method）。  冶金法的主要工艺是：选择纯度较好的冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，除去硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，之后除去第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成SOG硅。 挪威Elkem公司等对冶金法进行了改进。Elkem公司的冶金硅精炼工艺为：冶金硅→火冶冶金→水冶冶金→抛光→原料处理。  美国道康宁（Dow Corning）公司2006年投产了1000t利用冶金级硅制备SOG硅的生产线，其投资成本低于改良西门子法的2/3。2006年制备了具有商业价值的PV1101太阳能级多晶硅材料。PV1101太阳能级多晶硅材料不仅减少多晶硅的用量，而且还降低太阳能电池的生产成本，是太阳能技术发展的一个重要里程碑。  美国Crystal Systems公司采用热交换炉法（Heat Exchanger Method）提纯冶金级硅，制备出了200kg、边长为58cm的方形硅锭。主要工艺为：加热→熔化→晶体生长→退火→冷却循环，生产工艺全程由计算机程序控制。该工艺不仅可与各种太阳能电池生产工艺相兼容，而且可以提纯各种低质硅以及硅废料，使冶金级硅中难以提纯的硼、磷杂质降低到了一个理想的数值。 4.2气液沉积法 ? ? 气液沉积法（Vapor to Liquid Deposition，VLD）是日本德山公司（Tokuyama）于1999年至2005年间开发出的具有专利权的SOG硅制备技术。 主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1 500℃，流体SiHCl3和H2从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1 500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，降温变成固体的SOG硅。  德山公司开发该技术的最初目标是“低成本”，即尽量从三氯硅烷中找到最大沉积率而不是追求纯度，据称其沉积速度大大高于制造EG硅所达到的水平。利用VLD技术生产的多晶硅不是颗粒状，而是大的结晶块。目前，德山公司已经解决了相关技术上的大部分难题。2005年，德山公司已建成200t/a的半商业化工厂，2008年将建立大型商业性产能达到6 800t的工厂，至2010年再小幅增长到7 400t。 4.3 无氯技术 ? ? 无氯技术（Chlorine Free Technology）是一种很有发展前途的SOG硅制备技术，其原料为冶金级硅。  工艺流程包括在催化剂作用下硅原料与C2H5OH反应生成Si(OC2H5)3H，反应温度为280℃，Si(OC2H5)3H在催化剂作用下又分解为SiH4和Si(OC2H5)4，Si(OC2H5)4水解得到高纯SiO2或硅溶胶，SiH4在850～900℃的高温下热解生成多晶硅和氢气。 该技术属于俄罗斯INTERSOLAR中心和美国国家可再生能源实验室的专利技术。利用该工艺技术生产1kg的多晶硅仅需要15～30kWh的能量，硅产量（多晶硅、主要副产品、硅溶胶）可达80%～90%。 4.4碳热还原反应法 ? ? 西门子公司先进的碳热还原工艺为：将高纯石英砂制团后用压块的炭黑在电弧炉中进行还原。炭黑是用热HCl浸出过，使其纯度和氧化硅相当，因而其杂质含量得到了大幅度降低。  目前存在的主要问题还是碳的纯度得不到保障，炭黑的来源比较困难。碳热还原法如果能采用较高纯度的木炭、焦煤和SiO2作为原材料，那将非常有发展前景。 荷兰能源研究中（ERCN）正在开发硅石碳热还原工艺，使用高纯炭黑和高纯天然石英粉末作原材料，使原材料的硼、磷杂质含量降到了10-6级以下，但目前还处于实验室阶段。 4.5 铝热还原法 ? ? 铝热还原法主要利用CaO-SiO2液相助熔剂在1600～1700℃条件下，对石英砂进行铝热还原反应生产多晶硅和氧化铝。这种助熔剂一方面可以溶胶副产物氧化铝，同时又可作为液-液萃取介质。一旦硅被释放出来，因与助熔剂不互融从而被分离开来。由于硅的密度较小，它将浮在上层，经过一段时间后，将其灌入铸模中进行有控制的正常凝固，以便分离分凝系数小的杂质。 用这种新的、半连续的工艺能得到比通常冶金级硅纯度高的硅。