期末实训考核.docVIP

16*32点阵显示 小组组长：苏传市（画图） 组员： 廖维明（编写程序），陈修银（整理文档），陈明光（查找资料），夏浩铭（查找资料） 74HC595芯片资料：74HC595是硅结构CMOS器件， 兼容低电压TTL电路，遵守标准。 74HC595具有8位和一个，三态输出功能。 移位寄存器和是分别的时钟。 数据在SHcp（移位寄存器时钟输入）的上升沿输入到中，在STcp（存储器时钟输入）的上升沿输入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。 移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。 8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。三态。 将串行输入的8位数字，转变为并行输出的8位数字，例如控制一个8位数码管，将不会有闪烁。 并行输出，总线驱动； 串行输出；标准中等规模集成电路 74HC595 595移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。 参考数据 Cpd决定动态的能耗， Pd=Cpd×VCC×f1+∑(CL×VCC^2×f0) F1=输入频率，CL=输出电容 f0=输出频率（MHz） Vcc=电源电压当一个选通端（E1）为高电平，另两个选通端（(/E2))和(/E3)）为低电平时，可将地址端（A0、A1、A2）的在Y0至Y7对应的输出端以低电平译出。：A2A1A0=110时，则Y6输出端输出低。利用 E1、E2和E3可级联扩展成 24 线；若外接一个还可级联扩展成 32 线。 若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作。 可用在8086的电路中，。 A0~A2：地址输入端 STA（E1）：选通端 /STB（/E2）、/STC（/E3）：选通端（低电平有效） /Y0~/Y7：输出端（低电平有效） VCC：电源正 GND：地 A0~A2对应Y0——Y7；A0,A1,A2以二进制形式输入，然后转换成十进制，对应相应Y的序号输出低电平，其他均为高电平；AT89C51是一种带4LASH存储器（FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory）的低电压、高性能CMOS 8位，俗称。AT89C2051是一种带2K闪存可编程可擦除的。的可擦除可以反复擦除1000次。该器件采用ATMEL高密度非易失制造技术制造，与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪速组合在单个芯片中，ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器，AT89C2051是它的一种精简版本。AT89C51为很多提供了一种灵活性高且价廉的方案。外形及排列如图所示。　　现在AT89S51/52已经取代了AT89C51/52。 ·与MCS-51 兼容 ·4K字节可编程FLASH·寿命：1000写/擦循环 ·数据保留时间：10年 ·全静态工作：0Hz-24MHz ·三级锁定 ·128×8位内部RAM ·32可编程I/O线 ·两个16位/计数器 ·5个·可编程串行通道 ·低功耗的闲置和掉电模式 ·片内振荡器和时钟电路 #include reg51.h #define uint unsigned int #define uchar unsigned char sbit ds_hang=P2^3; sbit ds_lie=P2^4; sbit sh=P2^5; sbit st=P2^6; sbit oe=P2^7; sbit ls_pianxuan=P2^0; uchar b=0x00; uint shuzhu[]={0x8010,0x8008,0xFC7E,0x8024,0xFC18,0x04FF,0xFC00,0x803E,0xF822,0x803E,0xF822,0x803E,0xFA22,0x8222,0x822A,0x7E24}; uint shuzhu1[]={0x0001,0x1801,0x3011,0xc012,0x3024,0x1e18,0x2460,0x2010,0x2414,0x2859,0x6051,0x5098,0x5024,0x8822,0x0e41,0x0486}; void yanshi(uint x) { uint a,b; for(