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3章 半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度( ) 空穴浓度 大于 小于 等于 .N 型半导体( ) 带正电 带负电 呈中性 . 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将( ) 不变 变宽小于 变窄 .当环境温度升高时，二极管的正向电压将 升高 降低 不变 .二极管的正向电压降一般具有( )温度系数 正 负 零 .稳压管通常工作于( ) ，来稳定直流输出电压 截止区 正向导通区 反向击穿区 .二极管正向偏置时，其结电容主要是 ( ) 势垒电容 扩散电容 无法判断 .锗二极管的死区电压约为 ( ) 0.1V 0.2V 0.3V 9.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ( ) 0.3V 0.5V 0.7V 4章 半导体三极管及其放大电路1.晶体管能够放大的外部条件是_________ 发射结正偏，集电结正偏发射结反偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________ 发射结正偏，集电结正偏发射结反偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结反偏3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________ 0.1V0.5V；0.7V。 4.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________ 高低 一样 .温度升高，晶体管的电流放大系数 ________ 增大减小不变 .晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________ 两者无关有关无法判断 .对于电压放大器来说， 越小，电路的带负载能力越强________ 输入电阻 输出 电压放大倍数 .测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________ NPN 型锗管PNP 型锗管PNP 型硅管 .测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________ 处于饱和状态 放大状态截止状态已损坏 1在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________ 同相反相相差 90 度 .利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______ 输出功率静态工作点交流参数 . 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。 共射极共集电极共基极 .引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _______ 晶体管的电流放大系数太大电源电压太高晶体管参数随环境温度的变化而变化 . 在放大电路中，直流负反馈可以 ________ 提高晶体管电流放大倍数的稳定性提高放大电路的放大倍数 稳定电路的静态工作点 . 可以放大电压，但不能放大电流的是 _________ 放大电路。 共射极 共集电极共基极 . 射极输出器无放大 _________ 的能力。 电压电流功率 . 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _______ 放大电路。 共射极共集电极共基极 . 与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定_______ 不变变大变小 . 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 ______ 多级放大电路。 阻容耦合变压器耦合直接耦合 . 在放大电路幅频响应（波特图)曲线中，在上限截止频率和下限截止频率频率点处，电压增益比中频区增益下降了3dB，亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的 _______ 倍。 1/2； 21.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_______ 放大电路的高频特性最好。 共射极共集电极共基极场效应管及其放大电路1.场效应管的漏极电流是由 _________ 的漂移运动形成。 少子 多子 两种载流子 2.场效应管是一种 控制型的电子器件。 电流 光 电压 3.场效应管是利用外加电压产生的 _________ 来控制漏极电流的大小的。 电流 电场 电压 4.结型场效应管利用源极间所加的 _________ 来改变导电沟道的电阻。 反偏电压 反向电流 正偏电压 .为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的PN结_____ 。 必须正偏 必须反偏 可以任意偏置 .场效应管自给偏压电路适合于_____ 场效应管组成的放大电路。 增强型 耗尽型 增强型和耗尽型 .场效应管分压失偏置电路适合于_____ 场效应管组成的放大电路。 增强型 耗尽型 增强型和耗尽型 .增强型场效应管导通的的必要条件是________ 功率放大电路1.与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是 。 无输出变压器 能量效率高 无交越失真 2.所谓效率是指 _________ 。 输出功率与晶体管上消耗的功率之比最大不失真输出功率与电源提供的功率之比 输出功率与电源提