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一、存储器的应用 ?存储器的学习要点: 半导体存储器概念: 存储器是电子计算机及某些数字系统中不可缺少的部分,用来存放二进制代码表示的数据?系统指令?资料及运算程序等。 存储器的主要指标: 存储容量 和 工作速度 2006年2月 EDA室 卢庆莉 编写 存储容量: 存储容量是衡量工作能力大小的指标,容量越大,存储的信息越多,工作能力越强。 存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用若干个“K”单元表示。例如: 210=1024 称 1K单元 , 212=4096 称 4K单元。 存储容量为: n字(字位) × m位(位) 2006年2月 EDA室 卢庆莉 编写 存取速度(工作速度) 存取速度用存取周期表示。 从存储器开始存取第一个字到能够存取第二个字为止。所需的时间称为存取时间或存取周期。它是衡量存储器存取速度的重要指标。 存取周期越短,说明存取速度越高。 2006年2月 EDA室 卢庆莉 编写 存储器按功能分类: ROM 固定ROM:内容由厂家制作。ROM 可编程ROM:可一次性编程。PROM 可擦除可编程ROM:可多次改写 EPROM RAM 双极型 RAM 单极型 (MOS) SRAM(静态) DRAM(动态) SAM MOS移位寄存器 电荷耦合器件CCD移位寄存器 Cache 高速缓存 E2PROM UVEPROM 2006年2月 EDA室 卢庆莉 编写 实验中所用器件型号为:28C64B型E2PROM(电可改写的ROM) 结构:采用浮栅隧道氧化层MOS管。它有两个栅极:控制栅GC 和 浮置栅Gf。 特点:浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区,其厚度仅为10~15um , 可产生隧道效应。写入、擦除:利用隧道效应。 GC Gf 隧道区 2006年2月 EDA室 卢庆莉 编写 存储容量为:8K×8位=213 × 8位; 总共有13根地址线:A0~A12。 实验内容:新教材P214 T1 实验提示: F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 F4= 1 0 1 1 1 0 0 1 实验中所用器件型号为:28C64B型E2PROM(电可改写的ROM) 2006年2月 EDA室 卢庆莉 编写 F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 →D0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 →D1 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 →D2 F4= 1 0 1 1 1 0 0 1 →D3 数据D7~D0:0F 07 0A 0E 0D 01 04 0C 使用8个存储单元,4根数据线。 2006年2月 EDA室 卢庆莉 编写 0F 07 0A 0C 8192个存储单元
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