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2017-01-23 发布于北京
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(RFPECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究

RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究.txt遇事潇洒一点，看世糊涂一点。相亲是经销，恋爱叫直销，抛绣球招亲则为围标。没有准备请不要开始，没有能力请不要承诺。爱情这东西，没得到可能是缺憾，不表白就会有遗憾，可是如果自不量力，就只能抱憾了。本文由wujinfeng05贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。维普资讯第３６卷第３期　２００７年６月　人　工　晶　体　学　报　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦＹＮＨＥＴＣＲＹＳＡＬ　　ＳＴＩ　ＣＴＳＶ０．６Ｎｏ３１３　．　Ｊｎ．０７ｕｅ２０　Ｒ．ＥＶ制备微晶硅薄膜的Ｘ射线衍射研究　ＦＰＣＤ蔡宏琨　，张德贤　何　青　赵　飞，，，　陶　科　席　强　孙　云　，，（．南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所，１天津３０７；００１　２．南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系，天津３０７）００１　摘要：ｘ射线衍射（Ｒ）采用ＸＤ技术连续扫描法和薄膜衍射法对Ｒ —ＥＶＶＰＣＤ制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改　变硅烷浓度和反应功率，控制薄膜的生长速率，已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和ＸＤ测　Ｒ试，随着反应功率的增加，硅基薄膜的生长速率不断提高，晶硅薄膜的晶化程度不断增大。微　关键词：ｘ射线衍射（Ｒ）氢化非晶硅（— ：）ＸＤ；ａｉＨ薄膜；ｓ氢化微晶硅（ — ：）　ｃｉＨ薄膜；尺寸　ｓ晶粒中图分类号：Ｎ０　Ｔ３４文献标识码：　Ａ文章编号：００９５２０）３０４－５１０－８Ｘ（０７０－５５０　Ｓｔｙｏ　ｕｄ　ｆＸＲＤ　ｎＭｉｒｃｙｔｌｉｅＳｌｃｎＴｈｎＦｉｓＰｒｐａｅ　ｙＲＦ－ｏ　ｃｏｒｓａｌｎ　ｉｉｏ　ｉ　ｌ　ｅｒｄｂ　ｍＰＥＣＶＤ　ＣＩｏｇｋｎ，ＨＮ　ｅｉｎ，ＥＱｎ　ＺＡ　ｅ，Ａ　ｅ，ＩＱａｇ，ＵＹｎＡ　ｎ－ｕ　ＺＡＧＤ — ａ　Ｈ　ｉｇ，ＨＯＦｉＴＯＫ　Ｘ　ｉｎ　ＳＮ　ｕ　Ｈｘ　（．Ｉｓｔｔｏ　ｈｔ—ｌｔｎｃ　ｈｎＦｌ　ｅｉｅ　ｎ　ｅｈｉｕ，ｏｅｅｏ　ｆｒｔｎＴｃｎｃｌｃｎｅ　１ｎｔｕｅｆｏｅｅｒｉＴｉ　ｉＤｖｃｓａｄＴｃｎｅＣｌｇ　ｆｎｏｍａｉ　ｅｈｉ　ｉｃ，ｉ　ＰｏｃｏｓｍｑｌＩｏａＳｅＮｎａ　ｎｖｒｔ，ｉｎｉ　００１Ｃｉａ２ｅａｔｎ　ｆｌｃｏｉ　ｃｎｅａｄＴｃｎｌｙＣｌｇ　ｆＩｆｍｔｎＴｃｎｃｌｃｅｃ．ａｋｉｉｓｙＴａｊ３０７，ｈｎ；．ＤｐｒＵｅｉｎｍｅｔ　ｅｔｎｃＳｉｃ　ｎ　ｅｈｏｏ，ｏｌｅｏ　ｏａｉ　ｅｈｉａＳｉｅ　ｏＥｒｅｇｅｎｒｏ　ｎＮｎａＵｉｅｉ，ｉｎｉ　００１Ｃｉａ　ａｋｉｎｖｒｔＴａｊ３０７，ｈｎ）　ｓｙｎ（ｅｅｅ　３Ｎｖｍｅ２０ａｃｐｅ　８如　０２０）Ｒｃｉｄ１　ｏｅｂｒ０６，ｃｅｔ１ｖ　ｄ　０７　ＡｂｔａｔＴｅｓｒｃｕｅｏ　ｃｏｒｓａｌｅｓｌｏ　ｈｎｆｍ　ａ　ｅｎｉｖｓｉａｅ　ｙＸ—ａ　ｉｒｃｉｎｓｒｃ：ｈ　ｔｔｒ　ｆｍｉｒｃｙｔｌｎ　ｉｃｎｔｉ　ｉｈｄｂｅ　ｎｅｔｔｄｂ　ｒｙｄｆａｔ　ｕｉｉｌｇｆｏｗｈｃ　ａ　Ｃｎｉｕｏ　ｓａｎｎｇｉｈｈｄｏｔｎｕｓｃｎｉ　ｍｅｈｄｎ　ｔｎｉｌｔｏ　ａｄｈｉ　ｆｍ　ｄｆａｔｏ　ｍｅｏｉｒｃｉｎｆｈ