轉载--NANDFlash启动的问题(u-boot).docVIP

用的是S3C2410.见附件start.s 其中关于nand flash启动的那一段一直百思不得其解,按说从NAND FLASH启动时,应该是前4KB映射到NGCS0,其中的代码将NAND中存放的程序拷贝到RAM中,但该文件提供的程序好象是先从NAND拷贝 128K的代码到ResetEntry开始的地方,即地址为0的地方,然后再从ResetEntry处拷到RAM中,但此时NGCS0好象只有4KB的 RAM区,怎么能存储128K的代码,一直没想通.望高手指点,谢谢! 搞明白了,是两条指令的差别LDR r0,=_entry和ADR r0,_entry前者是在编译的时候按照load address生成的绝对地址,后者反汇编后是相对当前PC寻址,例如在ADS中设置RO地址为0那么前者传给r0的值是 0而后者传给r0的值要视当前PC而定,一般从NGCS0中启动时,传给r0的值就是0。amsung S3C2410支持Nor Flash和Nand Flash启动,在SBC-2410X上可以通过BOOTSEL跳线设置启动方式:? ? ||? ? | 。。 |? ?? ?boot from nand flash? ? ||。。? ?? ???boot from nor flash注: (1) BOOTSEL跳线在串口和usb slave接口之间(2) 两个引脚用跳线卡连接，则表示从nand flash启动。拔下跳线卡表示从nor flash启动。椐了解 NOR FLASH 是容量小，速度快，稳定性好，适合做程序存储器。NAND FLASH 总容量大，适合做数据存储器是不能从NAND FLASH启动的，NAND FLASH是的读写时序是不能直接有ARM硬件产生的，要读写NAND FLASH是要通过程序来实现的，很明显能看出来的就是NAND FLASH只有8个数据、地址复用的数据地址接口2410/2440可以直接从NAND FLASH启动的，因为它把NAND前面的4K映射到了RAM的空间首先应该先了解Flash ROM的种类NOR FLASH地址线和数据线分开，来了地址和控制信号，数据就出来。NAND Flash地址线和数据线在一起，需要用程序来控制，才能出数据。通俗的说，就是光给地址不行，要先命令，再给地址，才能读到NAND的数据。而且都是在一个总线完成的。结论是：ARM无法从NAND直接启动。除非装载完程序，才能使用NAND Flash.装载程序只能从mask rom 或者Nor flash.NAND和NOR flash技术 设计师在使用闪存时需要慎重选择——M-Systems公司 Arie TAL NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须