《曝光机要点技术.ppt

1) 曝光机的光谱 波长(nm) 光相对强度(%) 波长(nm) 光相对强度 (%) 300mmⅹ400mm 基板用lens 200mmⅹ200mm 基板用lens 2) 曝光量及照度实测值 区分 Filter 曝光量 (mJ/cm2) 照度 设定值 - 50 100 150 - 实测值 無 55.9 108.5 160.3 19.3 UV-31 50.8 97.4 144.7 17.2 UV-33 49.2 94.6 139.8 16.7 UV-35 42.4 81.3 122.1 14.3 300mmⅹ400mm 基板用LENS 区分 Filter 曝光量 (mJ/cm2) 照度 设定值 - 50 100 150 - 实测值 無 52.8 103.0 151.1 31.8 UV-31 47.9 93.3 138.3 29.0 UV-33 46.6 91.8 134.1 28.1 UV-35 40.7 79.2 117.3 24.5 200mmⅹ200mm基板用LENS 303nm j-Line 313 334nm i-Line h-Line g-Line 无filter 无filter 曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3) 波长 vs. PS 高度 未使用 曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4) 显影后 PS 形象 未使用 未使用 照度 使用Filter 曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ? Air Bubble 原因 : Assay时 液晶不足 C/F 基板和 TFT 基板之间形成空间 PS 高度比基准高度高时 措施 : 减少Coater 吐出量 缩短曝光 Gap Post-Bake 再进行 ? 重力不良 原因: Assay时 液晶量过多 C/F 基板和 TFT 基板之间 Swelling引起. PS 高度比基准高度低 措施: 增加Coater 吐出量 拉大 曝光Gap [由PS Height 变化引起的 液晶不良的发生] 曝光工艺要素技术 PS高度及Size Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 11 12 10 ① ② 0.2μm 0.4μm Top Dx Bottom Dx ? PS 高度 测定方法 在Blue Red Pattern Base上测定PS 高度 ? PS Size 测定方法 计算PS 高度 结合高度%进行Size 测定 ? PS 高度及 Size 测定位置 PS 测定位置 按照 Cell别 存在差异 Cell 多 -每 Cell 1 Point Cell 小 - 每Cell 2~3 Point ?? Cell 工程 Recipe 协议 预定 曝光工艺要素技术 PS高度及Size Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 根据PS 位置精度 有可能影响PS 高度的变化 作为支持 TFT / CF的 隔垫物 如位置不准确 会使TFT 信号 LINE发生问题 3 SHOT 4 SHOT 2 SHOT 1 SHOT Y : 29.75±3um X :