《半导体器件-半导体工艺-氧化.ppt

半导体工艺简介 物理与光电工程学院 张贺秋 参考书：《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》，电子工业出版社，赵树武等译，2004-10 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 室内环境：要求很严，恒温、恒湿、气流 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 名称 小规模集成电路（SSI） 中规模集成电路（MSI） 大规模集成电路（LSI） 超大规模集成电路（VLSI） 甚大规模集成电路（ULSI） 巨大规模集成电路 集成度 （数字MOS集成电路） 100 102~103 103~105 105~107 107~109 109 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 环境 甚大规模集成电路生产车间 超大规模集成电路生产车间 封装区域 住房 室外 级别 1 10 1000~10000 100 000 500 000 最大颗粒尺寸（?m） 0.1 0.3 0.5 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 硅——热氧化 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 目的 1、列出硅器件中，二氧化硅膜层的基本用途。 2、描述热氧化的机制。 3、列出热氧化反应中的氧化剂及用途。 4、解释氧化条件及基底条件对氧化的影响。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二氧化硅层的用途 1、表面钝化 2、掺杂阻挡层 3、表面绝缘体 4、器件绝缘体 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. O2 O2 O2 100nm Tox=(B/A)t 线性阶段 Original Si 100nm Tox=(Bt)1/2 抛物线阶段 热氧化的机制 受限反应，受限扩散反应 Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Dry Oxidation Si (S) + O2 (V) — SiO2 (S) Wet Oxidation（stream Oxidation） Si (S) + H2 O (V)— SiO2 (S) + H2 (V) 氧化率的影响 900-1200oC 900-1200oC 1、氧化源： 干氧 湿氧(发泡、干法) Cl参入氧化 干氧氧化 优点：结构致密、均匀性和重复性好、与光 刻胶黏附好且应力小。 缺点：生长温度高、生长速度慢。 Evaluation only. Created with Aspo