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Chapter 4. 复杂电子花样的标定0阶倒易面上倒易点的放大 简单花样的特征一套规则斑点， 具有特征平行四边形二次衍射斑点高阶劳厄带 复杂电子花样的几种形式挛晶花样菊池花样 一、 二次衍射斑点单晶体内的二次衍射 二次衍射斑点双晶体内的二次衍射多晶体内的二次衍射一、单晶体内的二次衍射 1. 为什么产生二次衍射??电子散射能量大电子散射来源于原子核X光来源于核外电子 e-beam: 100Kvλ=0.037? X-ray:λCu=1.56λMo=0.707二次衍射的Ewald球构图 单晶一次、二次衍射花样及合成花样 Hcp晶体[010]晶带的衍射花样禁点：±0001, ± 0003, ± 0005 Hcp结构消光：l=奇数,h+2k≠3n. 二、双晶体中的二次衍射复相合金 常发生于基体与析出相 双晶体中的二次衍射斑点的分布特征 常发生于大晶粒内有大量的细小析出相单晶体： 单晶斑点 1.至少有两套斑点多晶体： 多晶衍射环2. 若单晶斑点很强，可在多晶体中产生二次衍射 四、二次斑点的鉴别 1.看禁点位置上是否出现斑点 2.倾转样品，二次斑点的强度将发生变化或消失 3.在双晶体或复相中根据电子花样的特征判断 二、 高阶劳厄花样 一、什么叫高阶劳厄花样 1. 简单花样: 只有0层倒易面上的倒易杆与Ewald球相交 2. 高阶Laue花样: 除0层倒易面外，还有高阶倒易杆与Ewald球相交。3. 容易产生高阶劳厄花样的条件 1) 晶体很薄 t倒易杆长 2) 晶格常数很大 ad|ghkl|在电子衍射范围内高阶倒易面能与Ewald 球相交 5) 根据高阶劳厄带的性质 （具有相同的平行四边形）,通过向量运算,确定其它斑点 的位置和指数. 三、高阶劳厄花样的应用 应用1. 估算晶体厚度 应用2. 鉴别物相 小结 1. 二次衍射产生原因形成几何原理二次斑点分布特征2. 高阶劳厄斑点形成原理， 斑点特征高阶劳厄斑点的标定 * * 2. 二次衍射斑点的形成原理及花样分布 2)分布特征： 二次斑点与一次斑点分布完全一样,只是透射中心由原透射点移到了一个衍射点的位置上。 Why衍射角2? 很小 （1?3?）， 所以衍射束 D1 // 晶带轴，衍射束产生的斑点与入射束产生的斑点分布相同。 Ewarld图示-------二次斑点与一次斑点完全重合. 1) 形成原理 3)二次斑点能否鉴别 对于只存在点阵消光的晶体,一、二次斑点完全重合无法分辨. 对于存在由结构消光引起的禁点,二次斑点将使禁点消失. 3.点阵消光与结构消光 1) 点阵消光: 是人为选取了复杂单胞引起的，是虚假消光. 2)结构消光: 是由于晶体自身的微观对称性引起的真实消光。h,k,l全奇,全偶 （点阵消光） 如金刚石结构 h,k,l全偶h+k+l=4n Hcp结构l=奇数, （点阵消光）h+2k≠3n （结构消光） 面心立方点阵和简单棱面体点阵 （结构消光） Hcp结构的二次衍射 三、单晶体与多晶体间的二次衍射 选区光阑 花样特征 4. 阶劳厄带的三种形式 高阶斑点的特征： 与0阶斑点的分布特征完全一样，具有相同的特征平行四边形。 重叠Laue带花样 重叠Laue带花样形成条件： t 特别薄, a 特别大 1. 高阶劳厄花样的特征 1) 相同的特征平行四边形：高阶倒易面上的倒易点分布与0阶 一样。 2）高阶劳厄花样是高阶倒易点沿衍射方向在0层面上的 投影。高阶斑点相对于0阶斑点在垂直于入射方向上有一定的位移。 二、 高阶劳厄花样的标定 0 阶 N 阶 N阶在0 阶上的投影 基于以上特征，作高阶劳厄花样标定时只要标定出0阶斑点和一个高阶斑点， 然后根据向量运算， 就可标定出全部斑点。 标定高阶劳厄斑点的关键就是找出某一高阶倒易面上的倒易点在0层倒易面上的投影位置。 2. 标定 如上图所示，A（hkl） 是高阶面上的一倒易点， A ′(h ′k ′l ′）是A点在0层面上的投影， 现在求A’点的座标. 怎样求？ 1）基本思路: ghkl=g┴ +g//， 而g//才决定A′的位置。求出g//后，再求出g//在以0层面特征平行四边形两邻边g1, g2上的分量， 这样A ′点在0层上的位置就确定了. 2） 求g//ghkl=ha*+Kb*+lc*g// = hHa*+kHb*+lHc*(hH, kH, lH 为g//在倒易点阵中的座标） 3) 计算公式若知道晶带轴[uvw]，高阶阶数 N; 和N层面上A点指数 (hkl)， 则:N层倒易面上倒易点A（hkl）的水平分量g//的座标为： 求出 hH， KH, lH 后， 再根据向量分解，导出g//在g1和