机台菜单匹配规定.docVIP

标题： 设备菜单匹配管理规范 目的： 规定不同设备之间菜单匹配的程序，保证产品质量。 范围： 适用于生产线上用于相同工艺的不同设备之间的匹配。 参考： 无。 定义： 5.1关键工艺：对产品主要特性（PCM结果，成品率和可靠性等）有决定性影响的工艺步骤5.2 非关键工艺：除关键工艺以外的，对产品特性影响较小的工艺步骤5.3 设备匹配：为扩大产能和灵活性，在满足质量要求的情况下，将不同设备或腔体用于同一工艺的加工，工艺菜单内容可根据实际情况作一定限制的修改。 责任： 6.1 设备工程师负责设备硬件条件一致性的匹配调整工作6.2 工艺工程师负责设备的工艺匹配，并达到最终的要求6.3 TD负责对匹配项目完整性的审核，并对PCM的结果进行确认6.4 MS负责联系客户并且反馈成品率情况。 6.5 QA负责检查匹配工作是否按规定执行。 7.1 进行设备匹配，必须完成附录中所列的所有相关项目；完成后提交报告，经PCRB审核批准后执行7.2 对型号完全相同的设备之间的菜单匹配，按附表中的要求执行7.3 型号不同的设备之间的菜单匹配，。 7.4对已经匹配过的设备中，新菜单匹配按照下述原则进行。 1）单项匹配完成。 2）非关键工艺不进行分片直接release。 3）关键工艺在3批量或小批量（风险批）中选取1批进行分片，通知客户，确定验证 项目，如果合格则通过。 7.5 对于附录中需要顾客反馈成品率的批次(分片)由MS通知顾客，同意后方可作业，表单见《工艺变更(Process Change)管理程序》中的“工艺/材料临时变更客户确认单”。 7.6 设备匹配中项目需要通知顾客的，由MS负责通知顾客，顾客确认后方可作业, 表单见《工艺变更(Process Change)管理程序》中的“工艺/材料永久更改客户通知单”。 7.5 完成匹配的标准： 7..1 单项工艺结果：σ为reference 机台或 reference lot该项目的标准偏差） 7.5.1.1 单项工艺结果以下要求： 关键工艺σ或reference 机台的3%，均匀性满足控制 计划要求（均匀性能测试49点的，提供49点的MAP图）；78 系列外延按照5%执行。 非关键工艺控制计划。7.5.1.2 SPC统计后能满足对技术和质量的要求7.5.1.3设备间的差异在工艺许可的范围内（由单项工艺工程师进行判断，主管审核）7.5.2 PCM结果：所有测试数据必须在PCM规范内，中心值偏差不得超过1.5σ，分布范围不超过原有水平σ分析，分批时对直接相关参数进行trend chart分析。 7.5.3 分片或分批实验结果：所有圆片都要满足PCM和成品率的要求7.5.4 成品率结果：实验片的最低成品率不得低于对照批最低成品率的90%，平均成品率大于对照批平均成品率的95%。 7. 当以上所有项目均完成并达到标准，经PCRB审核批准后方可将该设备添加到相关设备组中，应用于生产。 8.08.1 附录一：扩散菜单匹配方案 8.2 附录二：薄膜菜单匹配方案 8.3 附录三：光刻菜单匹配方案 8.4 附录四：刻蚀菜单匹配方案 9.0 有效期： 本文件自发布之日起至下次修正日止。 10.0 机密等级： 普通。 附录一： 扩散菜单匹配方案 序号 工艺步骤 工艺层次 是否关键 单项试验项目 分片试验 分批试验 征求客户同意 (分片) 通知客户 (项目) 单独投片 片数 结果要求 PCM 成品率 1 清洗 栅氧/电容氧化 关 颗粒； 速率及均匀性，表面检查，CV/BT1000A， 12 PCM/YIELD NO 跟踪3批 YESNO NO 2 一般清洗 除栅氧/电容氧化 非 颗粒； 速率及均匀性，表面检查，CV/BT1000A， No No NO NO NO NO NO 3 发射区扩散 发射区 关 电阻或膜厚，均匀性， Xj(参考) 12 PCM 3 NO NO NO NO 4 注入退火 选择 非 电阻 均匀性， Xj(参考) 12 PCM 3 No NO NO NO 5 基区退火 选择 关 电阻或膜厚，均匀性， Xj(参考) 12 PCM/YIELD 3 跟踪3批 YES NO NO B源Dep扩散 选择 关 电阻 均匀性 结深偏差(参考) 12 PCM 3 跟踪3批 NO NO NO P/Sb源Dep扩散 选择 关 电阻 均匀性 结深偏差(参考) 12 PCM 3 跟踪3批 NO NO NO POCl掺杂 磷掺杂 关 电阻 均匀性 12 PCM 3 跟踪3批 NO NO NO Nitride淀积