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必威体育精装版半导体词汇 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) ; e+ ]. Q U+ T- `5 Q# w0 H3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 + t$ u; g7 g3 ~ D( d??|6. Align mark(key)：对位标记 8 O0 j6 o4 w6 r# a8. Aluminum ) _. {/ Y E??T: `; t3 Z9. Ammonia : O5 @! w6 |0 H10. Ammonium fluoride # l |1 y: _% z/ K; e) I11. Ammonium hydroxide, ]6 k( c$ S/ Y$ k) I12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 8 R2 S4 _; s2 }3 [2 {! i5 k- t13. Analog：模拟的 0 s6 n O$ K1 r- c8 g/ T1 T% H14. Angstrom ) ` u S6 h V+ }6 Y% v, W: W+ W; t15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH 3 E* ^! G: b- X5 R??Q6 {8 W( ~16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 2 }- ]2 u9 [. a( Q3 ]( N3 G3 @) {; g @1 v17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 1 C* L1 J/ }/ {8 E7 u0 }) ]18. Antimony(Sb)锑 # f/ w) s; t: n }19. Argon 6 O( U% E9 T* a! N20. Arsenic0 U3 Q9 K9 q4 l: p1 G* T21. Arsenic trioxide* r8 |4 l??U9 ?6 c- T) Z22. Arsine6 X1 N+ _8 x# i23. Asher, x5 ?1 l7 V3 Q9 F) l3 {3 x Q24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） O$ ?* b1 n% X5 Z25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 3 T0 ]0 @8 V+ B3 g26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） s) p U0 ` A( ?8 p) y9 z27. Baseline：标准流程 : t5 a7 I7 m2 P+ p28. Benchmark：基准 ; z% ~) H3 P( Y2 [ \$ S29. Bipolar：双极 $ o8 f3 q. a- \. C7 R1 ?30. Boat：扩散用（石英）舟 % U( w G??Z+ s0 m; m# A??Z0 w31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 W w r9 ~; i$ W- G2 L32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 ; ]3 H. P/ n! o w% [# }: q r33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 # h5 \7 u+ f3 @ G34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 % z x3 l4 m5 F/ s2 q* F35. Chip：碎片或芯片。 3 `+ ?( I/ Y/ n% w36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 , _1 F5 Z4 p1 j5 ~39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 : ?( H- o/ w0 h40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 ! `5 Z S# ^, U9 H9 Z2 A. _41. Computer-aided design（C