BJT直流参数测试.docVIP

BJT、MOS直流参数测试实验 顺序及注意事项 复习指导书 熟悉仪器（不开机） 将功耗电阻调至合适位置，一般1k左右即可。将集电极电压档调回到最小的档位。 4、根据晶体管类型，设置正常工作状态下的偏置电压。 5、仪器调零（将基区零点、集电区零点分别在显示屏上显示，然后将之调至相同位置，注意，非调x、y轴位置旋钮 --这同时“等幅度”调整了两者显示位置，故为非调零） 6、先调出正确的输出特性曲线，完成此步骤后，再测试指导书中的各项实验内容. 为有效调出输出特性曲线时，注意： A．各极的正负偏置最重要（理论上自己分析正负） B、然后才是所施加电压大小 C、没有输出特性曲线，可能偏置错误，也可能是管子尚未开启。 此外，常见导致问题包括： 1). 测试击穿电压或击穿电流时，因击穿电流较大，此时应“及时回调”，否则热击穿的话，需重新测试所有数据。 2). 所用晶体管管脚易断，实验时管脚需要弯曲的话，应使其“弯曲点”远离封的装壳。 3). 实验中若旋钮旋不动，则表明已调到最大或最小量程。此时，“若”因旋钮指示的位置 和 面板上标示的 最大/最小位置 对不上，仍表明其所在位置 为最大/最小量程档，此时，切勿“继续”用力用力旋拧，否则将导致旋钮故障进而无法继续实验！ 4). IC要保证较小，因所测对象是小功率管，一般1mA以下足够，勿太高（某些同学毫无概念甚至调到几百mA），这样很容易烧掉导致数据作废。 5). 实验中，切换量程时（尤其是集电极电压换量程时），务必注意需先将旋钮旋到最小，再换量程，经常的错误是直接换量程，导致的问题是：1）、电流过大，器件部分烧坏（现场检查或实验报告检查时，特性曲线与记录不一致，影响成绩）； 2）、器件完全烧毁（如此数据全部作废）；3）、更严重情况是仪器烧毁（成绩零）。该情况试验中经常出现，特别提醒注意。 6). 所测电流较大时，注意功耗电阻要增加，否则易烧。 7).实验完毕，将各电阻调到最大，量程档调至最小，关机。 8）、开关图示仪（尤其新图示仪）时，注意将集电极电压置零后，再关闭打开。以往曾出现直接关、开导致仪器点不亮情况。 此外，若所测为MOS管，还需注意： 实验前 释放身上静电 基极模块需置于“电压档”，切勿置于电流档，否则MOS管击穿。若置于电流档，操作之前需要B、E之间加一电阻。 VGS加的电压较小，3V以下足矣，否则可能烧毁。 对绝缘型场效应管如MOS管（2N7000、BS250）不可测栅源击穿电压。 由于跨导较大，说明问题时最好多拍几个图片（对应不同偏置条件）以准确说明问题。 指导书中P-mos管中正负偏置有错 8、采用图示仪测量阈值电压，有可能 实验、晶体管特性参数 一、 引言 晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。 本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性，了解BJT的各种基本参数定义域测量方法。 二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构 晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于Ib =常数（即基极电流Ib不变）。曲线显示出集电极与发射极之间的电压Vcc增加时，集电极电流Ic的变化。因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流Ib为： （1） 图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法 在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器Ec和一个小的电阻Rc，晶体管发射极接地。由于电阻R很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。晶体管的集电极电流从电阻Rc上流过，电阻Rc上的电压降就正比于Ic。如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻Rc两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的Ic随Vcc变化的曲线。（为了保证测量的准确性，电阻Rc应该很小）。用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流Ib是固定不变的。 如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流Ib改变。基极电流Ib的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。阶梯电压每跳一级，电流Ib便增加一级。（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。 晶体管特性图示仪便是