《模拟电子技术基础》试题.docxVIP

《模拟电子技术基础》试题（A卷） 学号 姓名 .一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ）（5）利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。 （ ）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ）（7）未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （ ）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ）二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A）电流负反馈 （B）电压负反馈 （C）直流负反馈 （D）交流负反馈（2）RC串并联网络在时呈 。 （A）感性 （B）阻性 （C）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A）共基接法 （B）共集接法 （C）共射接法 （D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A）β （B）β2（C）2β （D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A）共基放大电路 （B）共集放大电路 （C）共射放大电路 （6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC uB uE 。 （A） （B） （C） = （D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 （A） 大 （B） 小 （C） 相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。 四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为UBEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为rbe。填空：静态时，IBQ的表达式为 ，ICQ的表达式为 ，UCEQ的表达式为 ；电压放大倍数的表达式为 ，输入电阻的表达式为 ，输出电阻的表达式为 ；若减小RB，则ICQ将 ，rbe将 ，将 ，Ri将 。五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，rbe=1 kΩ，RB1=5 kΩ，RB2=15 kΩ，RE=2.3 kΩ，RC=RL=3 kΩ，VCC=12V。（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。（2）估算信号源内阻为RS=1kΩ时，的数值。六、（10分）在图示电路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路I=1 mA，RB1=RB2=1 kΩ，RC1=RC2=10 kΩ；两只晶体管特性完全相同，且β1=β2=100，rbe1= rbe2=2 kΩ。估算：（1）电路静态时T1和T2管的集电极电位；（2）电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0 七、（5分）在图示OCL电路中，已知T1、T2管的，电源电压为±9V，负载电阻RL=8 Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。 八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反馈，试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈，并分别估算它们的电压放大倍数。 九、（6分）在图示电路中，要求RF =100 kΩ，比例系数为11，试求解R、和的阻值。 十、（6分）求解图示电路的运算关系式。十一、（9分）在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10 kΩ，R和C的可调范围分别为1~100 kΩ、0.001~1μF。振荡频率的可调范围是多少？（2）RF的下限值为多少？ 十二、（5分）在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V，R1=R2=R3=200 Ω，试求输出电压U0的调节范围。十三、（6分）串联型稳压电路如图所示，T2和T3管特性完全相同，T2管基极电流可忽略不计，稳压管的稳定电压为UZ。填空：调整管为 ，输出电压采样电阻由 组成，基准电压电路由 组成，比较放大电路 组成；输出电压调节范围的表达式为 。《模拟电子技术基础》试题（B卷） 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （ ）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （ ）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。 （ ）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。 （ ）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （ ）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （ ）（7）半导体中的空穴带正电。 （ ）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ ）（9）实现运算电