FD-HL-5 霍尔效应说明书.docVIP

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FD-HL-5 霍尔效应说明书

FD-HL-5型 霍耳效应实验仪 产 品 说 明 书 上海复旦天欣科教仪器有限公司 中国 上海 FD-HL-5型霍耳效应实验仪 一. 概述 霍耳元件因其体积小,使用简便,测量准确度高,可测量交、直流磁场等优点,已广泛用于磁场的测量。并配以其他装置用于位置、位移、转速、角度等物理的测量和自动控制。本霍耳效应实验仪主要帮助学生了解霍耳效应的实验原理,测量霍耳元件的灵敏度,并学会用霍耳元件测量磁感应强度的方法。FD-HL-5型霍耳效应实验仪具有以下优点: 1.采用砷化镓霍耳元件(样品)测量。该霍耳元件具有灵敏度高,线性范围广,温度系数小的特点。由于霍耳元件的工作电流小(小于5mA),电磁铁的励磁电流也小(小于0.5A),因而实验数据稳定可靠。 2.实验电路布局设计合理,更多地从教学的实际效果和科研的应用考虑。如待测样品和探测元件的形状结构学生可明显观察;用1个数字电压表可分别测量霍耳电压和霍耳电流(通过取样电阻)等。实验教学效果很好。 3.仪器具有保护装置使用寿命长。 本仪器可用于高等院校、中专的基础物理实验、设计性实验和演示实验。 二、技术指标 1.直流稳流电源及数字式电流表。量程0-500mA,分度值1mA。 2.四位半数字电压表。量程0-2V,分度值0.1mV。 3.数字式特斯拉计。量程0-0. 35T,分度值0.0001T。 4.电磁铁。间隙3mm。 5.待测砷化镓霍耳元件。实验时,工作电流一般小于3m A。 (最大电流不得超过5mA) 三、实验仪器简图 (1)实验仪器结构如图1所示。 (2)电源插头各引线对应的输入输出端简介: 1和2端为样品(砷化镓传感器)直流恒流源; 3和4端为式特斯拉计探测所用电源; 5和6端为数字式特斯拉计探测器输出电压端(接显示器)。 (3)砷化镓霍耳传感器引脚介绍。 1和3脚电源输入端; 2和4脚为输出霍耳电势差 四、使用注意事项 1. 仪器应预热15分钟,待电路接线正确,方可进行实验。 2. 直流稳流电源(0-500mA)与电磁铁相接,直流稳压电源用于提供霍耳元件工作电流(0-5mA),相互不能互换。接错时,易将霍耳元件超过工作电流损坏。 3. 霍耳元件易碎,引线也易断,不可用手折碰。砷化镓元件通过电流小于5mA,使用时应细心。 4. 电磁铁磁化线圈通电时间不宜过长,否则线圈易发热,影响实验结果。励磁电流IM不得超过0.5A,用外接其电流电源时须注意。 用霍耳传感器测磁场 (以下讲义由复旦大学物理教学实验中心提供) 当电流垂直于外磁场方向通过导电体时,在垂直于电流和磁场的方向,导电体两侧产生电势差的现象。1879年为美国物理学家霍耳所发现,此现象称霍耳效应。一般说来,金属和电解质的霍耳效应都很小,但半导体则较显著。N型锗、锑化铟、磷砷化铟、砷化镓等霍耳系数很高的半导体材料,常被用于制作霍耳元件。砷化镓霍耳元件尤以灵敏度高、线性范围广和温度系数小等优点,在磁场测量中经常被应用。对磁感应强度的测量,用霍耳元件优点是使用简便,探头小,适用计量小范围磁场,这种方法测量的相对不确定为10-2—10-3。本实验要求学习者深入了解霍耳效应的基本原理;学习测量霍耳元件灵敏度的方法以及用霍耳元件测量磁场。 实验原理 1、 霍耳效应 霍耳电势差是这样产生的:当电流IH通过霍耳元件(假设为P型)时,空穴有一定的漂移速度υ,垂直磁场对运动电荷产生一个洛伦兹力。 FB=q(υ×B)  (1) 式中q为电子电荷,洛伦兹力使电荷产生横向的偏转,由于样品有边界,所以有些偏转的载流子将在边界积累起来,产生一个横向电场E,直到电场对载流子的作用力FE=qE磁场作用的洛伦兹力相抵消为止,即 q(υ×B)= qE   (2) 这时电荷在样品中流动时将不再偏转,霍耳电势差就是由这个电场建立起来的。 如果是N型样品,则横向电场与前者相反,所以N型样品和P型样品的霍耳电势差有不同的符号,据此可以判断霍耳元件的导电类型。 设P型样品的载流子浓度为p,宽度为ω,厚度为d,通过样品电流IH=pqυωd,则空穴的速度υ=IH/pqωd代入(2)式有 E=┃υ× B┃= IH B/pqωd     (3) 上式两边各乘以ω,便得到 UH= Eω= IH B/pqd= RH ×IH B/d (4) RH=1/pq称为霍耳系数,在应用中一般写成 UH= IH KH B (5) 比例系数KH= RH/d=1/pqd称为霍耳元件灵敏度,单位为 mV/(mA·T),一般要求KH愈大愈好。KH与载流子浓度p成反比,半导体内载流子浓度远比金属载流

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