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第二章 门电路;2.1 概述;图2.1.1 获得高、低电平的基本原理;图2.1.2 正逻辑与负逻辑;2.1 概 述;集成门按内部有源器件的不同可分为两大类:一类为双极型晶体管集成电路,主要有晶体管TTL逻辑、射极耦合逻辑ECL和集成注入逻辑I2L等几种类型;另一类为单极型MOS集成电路,包括NMOS、 PMOS和CMOS等几种类型。常用的是TTL和CMOS集成电路。
集成门电路按其集成度又可分为:小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)。;2.2 半导体二极管和三极管的开关特性;图2.2.11 MOS管的结构和符号
图2.2.12 MOS管共源接法及其输出特性曲线
(a)共源接法 (b)输出特性曲线
图2.2.13 MOS管的转移特性
图2.2.14 MOS管的基本开关电路
图2.2.15 MOS管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)导通状态
图2.2.16 P沟道增强型MOS管
图2.2.17 P沟道增强型MOS管的漏极特性
??2.2.18 用P沟道增强型MOS管接成的开关电路
图2.2.19 N沟道耗尽型MOS管的符号
图2.2.20 P沟道耗尽型MOS管的符号;图2.2.1 二极管开关电路;图2.2.2 二极管的伏安特性;图2.2.3 二极管伏安特性的几种近似方法;图2.2.4 二极管的动态电流波形; 图2.2.5 双极型三极管的两种类型 (a)NPN型 (b)PNP型;图2.2.6 双极型三极管的特性曲线 (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线;图2.2.7 双极型三极管的基本开关电路;图2.2.8 用图解法分析图2.2.7电路 (a)电路图 (b)作图方法;图2.2.9 双极型三极管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)饱和导通状态;图2.2.10 双极型三极管的动态开关特性;图2.2.11 MOS管的结构和符号;图2.2.12 MOS管共源接法及其输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线;图2.2.13 MOS管的转移特性;图2.2.14 MOS管的基本开关电路;图2.2.15 MOS管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)导通状态;5、MOS管的四种类型
MOS管有N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型这四种基本类型。
(1)N沟道增强型
N沟道增强型的MOS管如下图所示:;图2.2.16 P沟道增强型MOS管;图2.2.17 P沟道增强型MOS管的漏极特性;图2.2.18 用P沟道增强型MOS管接成的开关电路;图2.2.19 N沟道耗尽型MOS管的符号;图2.2.20 P沟道耗尽型MOS管的符号;2.3 最简单的与、或、非门电路;图2.3.1 二极管与门;图2.3.2 二极管或门;图2.3.3 三极管非门(反相器);图2.3.4 图2.3.3电路的化简;2.4 TTL门电路;图2.4.14 TTL反相器的动态电压波形
图2.4.15 TTL反相器的交流噪声容限
(a)正脉冲噪声容限(b)负脉冲噪声容限
图2.4.16 TTL反相器电源电流的计算
(a)vO=VOL 的情况 (b) vO=VOH的情况
图2.4.17 TTL反相器的电源动态尖峰电流
图2.4.18 TTL反相器的电源尖峰电流的计算
图2.4.19 电源尖峰电流的近似波形
图2.4.20 TTL与非门电路
图2.4.21 多发射极三极管(a)结构示意图 (b)符号及等效电路
图2.4.22 TTL或非门电路
图2.4.23 TTL与或非门
图2.4.24 TTL异或门
图2.4.25 推拉式输出级并联的情况
图2.4.26 集电极开路与非门的电路和图形符号;图2.4.27 OC门输出并联的接法及逻辑图
图2.4.28 计算OC门负载电阻最大值的工作状态
图2.4.29 计算OC门负载电阻最小值的工作状态
图2.4.30 例 2.4.4 的电路
图2.4.31 三态输出门的电路图和图形符号
(a)控制端高电平有效 (b)控制端低电平有效
图2.4.32 用三态输出门接成总线结构
图2.4.33 用三态输出门实现数据的双向传输
图2.4.34 74H系列与非门(
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