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* 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 * 1.4.3 场效应晶体管的参数 1. 开启电压VGS(th) 增强型场效应管参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 2. 夹断电压VGS(off) (或VP) 结型、耗尽型场效应管参数，VGS=VGS(off) 时, 漏极电流为零 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应管参数，当VGS=0时所对应的漏极电流。 一、直流参数 * 4. 输入电阻RGS(DC) 栅源输入电阻的典型值， 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 1. 低频跨导gm 栅压对漏极电流的控制作用，与晶体三极管的?对应 二、交流参数 2. 极间电容 Cgs(Cgd):1~3pF, Cds:0.1~1pF * 3. 最大漏极功耗PDM PDM= VDS ID，与双极型三极管的PCM相当。 2. 击穿电压 三、极限参数 1.最大漏极电流 IDM 1.4.4 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道、 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 、P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道、 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) * 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 FET的g, s, d分别和 三极管的b, e，c对应，作用相似。 * 小 结 1、杂质半导体与PN结 2、半导体二极管 3、半导体三极管 4、场效应管 单向导电性 N型半导体、P型半导体 PN结的单向导电性 电流控制电流，电流放大作用 截止区、放大区、饱和区 电压控制电流 截止区、恒流区、可变电阻区 * * * * * 当VCE?1V后，集电结场强足以将发射区注入基区的决大部分非平衡载流子收集到集电区 输入回路 PN结 二极管的伏安特性 (1) 死区 (2) 非线性区 (3) 线性区 * 3. 饱和区： uBE Uon , uCE uBE 临界状态： uCE=uBE 2. 放大区： uBE Uon, uCE ? uBE IC=?IB 1. 截止区： uBE ? Uon, uCE uBE IB=0, Ic=ICEO 二、输出特性曲线 b e c * 输出特性三个区域的特点: (1) 放大区 BE结正偏，BC结反偏， IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB (2) 饱和区 BE结正偏，BC结正偏 ，即UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区 UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 三、温度对特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 O T2 T1 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O * 1.3.